ROHM Semiconductor presenta su nuevo módulo de potencia SiC (silicio de carburo) BSM180D12P3C007 de potencia nominal 1200V / 180A.

Sobre la base de las capacidades de la completa cadena de suministro y capacidades avanzadas de encapsulado en las instalaciones de Rohm, el módulo SiC Half-Bridge integra MOSFETs SiC trench type y SBDs SiC producido en masa, en el mismo espacio, como los módulos anteriores.

ROHM ha sido pionero en módulos de potencia comerciales equipados con MOSFETs SiC y SBDs SiC, y fue capaz de producir en masa con éxito el primer MOSFET trench-type de la industria mediante la utilización de una estructura propia, asegurando la fiabilidad a largo plazo. El nuevo módulo implementa MOSFETs con su estructura UMOS avanzada sin región JFET y maximizando las características SiC. Proporciona la menor resistencia de fuente de drenaje junto con rendimiento de conmutación de alta velocidad, y gracias a la extremadamente baja Vf y el rendimiento de recuperación rápida de los SBDs SiC incorporados, casi no tiene Err de pérdida de recuperación.

Como resultado, el módulo de conmutación alcanza una pérdida un 77% menor que los módulos IGBT convencionales y 42% menor pérdida de conmutación que los módulos SiC planar que utilizan una estructura DMOS-Sic de segunda generación. Esto no sólo permite un funcionamiento de alta frecuencia sino que también contribuye a sistemas de refrigeración más pequeños, así como componentes periféricos más pequeños que, en consecuencia, allanan el camino para un mayor ahorro de energía y la miniaturización del producto final.

El nuevo módulo SiC ya está disponible.

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