ROHM Semiconductor ha anunciado la tecnología de su familia de IGBT de 650V de 3ª generación. Gracias su estructura más avanzada y a sus características beneficiosas es una solución ideal para una conmutación suave y muy eficiente en aplicaciones industriales y electrodomésticos.

Los semiconductores de potencia, entre ellos los IGBT, están ganando aceptación debido a su implementación en muchos tipos de aplicaciones de alta tensión. Sin embargo, se espera que estos componentes alcancen una alta eficiencia y fiabilidad además de mantener unos bajos niveles de pérdidas. Al ampliar su gama existente, formada por IGBT para alta corriente e IGBT con una menor tensión de saturación y una conmutación más rápida, ROHM presenta ahora su 3ª generación de IGBT para una alta eficiencia. Los nuevos dispositivos utilizan una estructura de oblea más fina así como tecnologías de atenuación de campo y estructura propia de puerta de zanja para obtener las prestaciones más avanzadas con el fin de cubrir la creciente necesidad de conmutación a alta frecuencia.

Los nuevos IGBT de 650V de 3ª generación de ROHM, basados en una estructura avanzada de atenuación de campo, ofrecen un menor gradiente de concentración de portadores en la región de deriva que permite mejorar la distribución de los portadores. Gracias a ello es posible reducir la tensión de saturación y aumentar la velocidad de conmutación, logrando así un excelente compromiso entre la tensión de saturación y las pérdidas en el paso a corte, a diferencia de las soluciones convencionales.

ROHM también ha aplicado una sofisticada estructura de puerta de zanja (Trench gate) que reduce la carga de puerta y la capacidad. La optimización del dopado y la estructura de celda, junto con una oblea un 15% más fina que la 2ª generación, disminuyen significativamente las pérdidas totales del dispositivo. Durante la fase de conducción hay una concentración más baja de portadores que da como resultado unas menores pérdidas durante el paso a corte. Además los nuevos dispositivos ofrecen una conmutación suave, incluso con una baja resistencia de puerta externa. Los resultados de las medidas indican un bajo nivel de ruido, incluso al aumentar la velocidad de conmutación. La miniaturización y la mejora de las  características reducen la tensión de saturación en un 6% y las pérdidas de conmutación en el paso a corte en un 20% respecto a la 2ª generación, lo cual permite mejorar las prestaciones de todo el sistema.

La gama de IGBT de 650V de 3ª generación, formada por modelos de 30/50/80A en la serie RGTV y de 30/40/50A en la serie RGW, se suministra en dos encapsulados diferentes (TO-247N y TO-3PFM) y en dos series optimizadas. La serie RGTV está diseñada para aplicaciones que exijan una protección avanzada frente a cortocircuitos y la serie RGW se adapta especialmente a convertidores, ofreciendo para ello una baja carga de puerta y una baja capacidad, así como unas pérdidas de conmutación extremadamente bajas. Ambas series integran además un diodo de recuperación rápida y suave muy rápido para una óptima eficiencia.

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