Mouser ya ofrece los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de 150 V de Infineon Technologies. Con bajas pérdidas de conmutación, la familia de 150 V ofrece una eficiencia, densidad de potencia y fiabilidad excepcionales para fuentes de alimentación (PSU) de servidores, optimizadores solares y cargadores USB de alta potencia, así como infraestructura de telecomunicaciones.

Las pérdidas de conducción mejoradas benefician a los inversores de motor en carretillas elevadoras eléctricas y vehículos eléctricos ligeros (VEL). Estos MOSFET ofrecen una reducción de RD hasta el 41 % (RDS(on)), un 20 % menos de FOMg y un 17 % menos de FOMgd en comparación con la generación anterior, OptiMOS 5. Un diodo de cuerpo más rápido y suave reduce la carga de recuperación inversa (Qrr) hasta un 59 % y reduce el sobreimpulso y la oscilación.
Los MOSFET también presentan una alta resistencia a las avalanchas y una temperatura de unión máxima de +175 °C, lo que garantiza un funcionamiento robusto y estable en entornos exigentes. Con una amplia gama de encapsulados, los MOSFET cumplen con los exigentes requisitos de aplicaciones de alta y baja frecuencia de conmutación. Los dispositivos están diseñados para satisfacer las necesidades de unidades y aplicaciones de fuentes de alimentación conmutadas (SMPS). Se ofrecen en encapsulados D2PAK de 3 pines, D2PAK de 7 pines, TO-220, TOLL, TOLT (para refrigeración superior) y SuperSO8 para mayor flexibilidad de diseño. Los MOSFET OptiMOS 6 de 150 V cumplen con el estándar de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1, no contienen halógenos y cumplen con la normativa RoHS.

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