Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado un MOSFET de canal N de drenaje común de 12 V con una corriente nominal de 20 A, para su uso en circuitos de protección de baterías en paquetes de baterías de iones de litio (Li-ion), como los que se utilizan habitualmente en teléfonos inteligentes, tabletas, bancos de alimentación, cámaras digitales compactas, cámaras réflex digitales y otras aplicaciones similares.

La seguridad de las baterías de iones de litio se ve reforzada por unos circuitos de protección muy robustos que reducen la generación de calor durante la carga y la descarga. Para alcanzar el rendimiento de carga requerido, estos circuitos deben tener un bajo consumo de energía. Dada la naturaleza compacta de estas soluciones, los MOSFET adecuados deben ser pequeños y finos y ofrecer al mismo tiempo bajos niveles de resistencia a la conexión.

El nuevo SSM14N956L de 20 A está preparado para una tensión fuente-fuente (VSSS) de 12 V y utiliza el microproceso de Toshiba, al igual que el SSM10N954L de 13,5 A ya lanzado. Esto garantiza unas excelentes características de baja resistencia de encendido (RSS(ON)), tan baja como 1mΩ, lo que limita las pérdidas de conducción. Además, el proceso proporciona una baja corriente de fuga puerta-fuente (IGSS) de ±1µA (máx.), lo que permite un bajo consumo de energía en modo reposo. Juntos, estos atributos permiten un funcionamiento prolongado de la batería entre cargas.

Con el fin de encajar en los reducidos espacios disponibles en estas aplicaciones, el nuevo SSM14N956L está diseñado como encapsulado a escala de chip, conocido como TCSPED-302701. Sus dimensiones son de sólo 2,74 mm x 3,0 mm, con una altura típica de apenas 0,085 mm.

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