Un plan de ROHM Co. ("ROHM") y Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba Electronic Devices & Storage") para colaborar en la fabricación y el aumento del volumen de producción de dispositivos de potencia ha sido reconocido y será apoyado por el Ministerio de Economía, Comercio e Industria como medida de apoyo al objetivo del Gobierno japonés de conseguir un suministro seguro y estable de semiconductores.

ROHM y Toshiba Electronic Devices & Storage realizarán respectivamente inversiones intensivas en dispositivos de potencia de carburo de silicio (SiC) y silicio (Si), mejorarán eficazmente sus capacidades de suministro y utilizarán de forma complementaria la capacidad de producción de la otra parte.

Los dispositivos de potencia son componentes esenciales para suministrar y gestionar la alimentación eléctrica en todo tipo de equipos electrónicos, y para lograr una sociedad libre de carbono y neutra en carbono. Se espera que la demanda actual siga creciendo. En aplicaciones de automoción, el desarrollo de cadenas cinemáticas eléctricas más eficientes, pequeñas y ligeras ha avanzado paralelamente a la rápida expansión de la electrificación de los vehículos. En las aplicaciones industriales, el suministro estable de dispositivos de potencia y la mejora de las características son requisitos ampliamente necesarios para apoyar la creciente automatización y los requisitos de mayor eficiencia.

Con este telón de fondo, ROHM ha formulado una visión de gestión: "Nos centramos en soluciones analógicas y de potencia y resolvemos problemas sociales contribuyendo a las necesidades de nuestros clientes de ahorro energético y miniaturización de sus productos", y acelera sus esfuerzos para conseguir un mundo libre de carbono. Los dispositivos de potencia de SiC son la clave del ahorro energético. Desde la primera producción en masa de MOSFET de SiC en el mundo, ROHM ha desarrollado constantemente tecnologías líderes en la industria. Entre ellas se encuentran los últimos MOSFET de SiC de 4ª generación de ROHM, que se adoptarán para numerosos vehículos eléctricos y equipos industriales. Como uno de sus proyectos prioritarios, ROHM está trabajando en el negocio del SiC, que contiene una inversión agresiva y continua para aumentar la capacidad de producción de SiC y satisfacer el fuerte crecimiento de la demanda.

Toshiba Group, con su compromiso básico de larga data, "Comprometidos con las personas, comprometidos con el futuro", tiene como objetivo avanzar en la consecución de la neutralidad de carbono y una economía circular. Toshiba Electronic Devices & Storage lleva décadas suministrando dispositivos de alimentación de Si, principalmente para los mercados de la automoción y la industria, que han contribuido a garantizar soluciones de ahorro energético y la miniaturización de los equipos. La empresa inició el año pasado la producción en una línea de obleas de 300 mm y está acelerando las inversiones para mejorar la capacidad de producción y satisfacer el fuerte crecimiento de la demanda. También está avanzando en el desarrollo de una gama más amplia de dispositivos de potencia de SiC, especialmente para aplicaciones de automoción y de transmisión y distribución de energía, aprovechando al máximo la experiencia que ha cultivado en aplicaciones para vehículos ferroviarios.

ROHM ya anunció su participación en la privatización de Toshiba, pero esta inversión no sirvió como punto de partida para la colaboración en fabricación entre ambas empresas. Ante la intensificación de la competencia internacional en la industria de los semiconductores, ROHM y Toshiba Electronic Devices & Storage llevan tiempo considerando la posibilidad de colaborar en el negocio de los dispositivos de potencia, lo que dio lugar a la solicitud conjunta.

ROHM y Toshiba Electronic Devices & Storage colaborarán en la fabricación de dispositivos de potencia, mediante inversiones intensivas en dispositivos de potencia de SiC y Si, respectivamente, con el fin de mejorar la competitividad internacional de ambas empresas. Las empresas también intentarán contribuir a reforzar la resistencia de las cadenas de suministro de semiconductores en Japón.