Mouser Electronics, Inc anuncia hoy un nuevo eBook en colaboración con onsemi, que explora el uso de semiconductores de carburo de silicio (SiC, por sus siglas en inglés) para el diseño de sistemas de potencia.

Los dispositivos de carburo de silicio están revolucionando la electrónica de potencia gracias a las propiedades superiores de sus materiales, que permiten sistemas de alimentación más eficientes, compactos y sostenibles. En Por un futuro sostenible con componentes electrónicos de potencia fabricados con carburo de silicio, onsemi explora los beneficios del carburo de silicio (SiC), sus aplicaciones en vehículos eléctricos y energías renovables, y la importancia de elegir el socio SiC adecuado.

Como proveedor de confianza de soluciones de energía, onsemi ofrece dispositivos de SiC de gran calidad, una cadena de suministro fiable y un soporte de diseño completo.

El libro electrónico incluye prácticos enlaces a determinados productos de alimentación de onsemi, como el MOSFET EliteSiC NTBG014N120M3P. El NTBG014N120M3P es un MOSFET SiC planar de 1200 V M3P optimizado para aplicaciones de potencia. La tecnología planar funciona de forma fiable con accionamientos de tensión de puerta negativa y apaga los picos en la puerta. Este dispositivo es ideal para su uso en inversores solares, estaciones de carga de vehículos eléctricos, sistemas de almacenamiento de energía y fuentes de alimentación conmutadas.

El MOSFET EliteSiC NVBG1000N170M1, que puede encontrar en Mouser.com, es un dispositivo planar M1 de 1700 V optimizado para aplicaciones de conmutación rápida. Este dispositivo cuenta con la certificación AEC-Q101 y es apto para PPAP, lo que lo hace ideal para su uso en vehículos eléctricos (EV) y vehículos eléctricos híbridos (HEV). En los VE y VEH, las ventajas de los dispositivos de SiC se traducen en soluciones de alimentación más pequeñas, ligeras y eficientes. Se desperdicia menos energía, lo que se traduce en una reducción del número de baterías necesarias.

El controlador de puerta NCP51705 está diseñado principalmente para controlar transistores MOSFET de SiC. Con el fin de lograr las menores pérdidas de conducción posibles, el controlador es capaz de suministrar la máxima tensión de puerta permitida al dispositivo SiC MOSFET. Al proporcionar una corriente de pico elevada durante el encendido y el apagado, se minimizan las pérdidas por conmutación.

El controlador de puerta de doble canal aislado NCP51560 está diseñado para una conmutación rápida que permita accionar interruptores de potencia SiC MOSFET. Se pueden utilizar dos canales independientes de controlador de puerta aislados galvánicamente en cualquier configuración posible de dos interruptores de lado bajo, dos interruptores de lado alto o un controlador de medio puente con tiempo muerto programable. El NCP51560 ofrece otras funciones importantes de protección, como el bloqueo de subtensión independiente para ambos controladores de puerta.

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