La gama y los requisitos de los dispositivos semiconductores se amplían constantemente con la aparición de la nueva industria energética. El componente clave de los dispositivos semiconductores en los sistemas de carga de vehículos eléctricos y fotovoltaica (PV) o Generador estático VAR, de energías reactivas, de alta tensión (SVG) es el IGBT/SiC MOSFET, que requiere estándares más altos para las soluciones de accionamiento.

Mecter presenta el nuevo convertidor de Mornsun DC/DC familia QA-R3G especial para IGBT/SiC MOSFET Driver.

Ventajas
1. Tensión de aislamiento: 5000VAC, aislamiento reforzado
Basado en el diseño de un IC independiente, propio, de MORNSUN, el voltaje de aislamiento de la familia QA-R3G es de hasta 5000VAC, superior al de los productos convencionales del mercado (3750VAC). Y la familia QA-R3G puede cumplir con los requisitos de aislamiento reforzado, por lo que la fiabilidad general se ha optimizado considerablemente.
2. Tensión de aislamiento a largo plazo: 1700V
Los IGBT/SiC MOSFET, como dispositivos semiconductores principales, la mayoría de las clases de tensión son 650V/900V/1200V/1700V. De conformidad con la norma IEC-61800-5-1, la familia QA-R3G ofrece una tensión de aislamiento a largo plazo (descarga continua) de hasta 1700V, que puede utilizarse para dispositivos MOSFET IGBT/SiC con tensiones inferiores a 1700V.
3. Mejora del rendimiento en comparación con la serie QA (serie tradicional en Mornsun)

Guía para la selección

Aplicaciones
La serie QA_(T)-R3G puede utilizarse ampliamente en el MOSFET IGBT/SiC para la carga de vehículos eléctricos y en soluciones de la industria fotovoltaica.

Características
QA-R3G Series
• Encapsulado SIP ultra-pequeño
• Capacitancia de aislamiento ultra- baja 3,5pF (típ.)
• CMTI>200kV/μs
• Descarga parcial: 2500V
• Tensión de aislamiento: 5000VAC (aislamiento reforzado)
• Max. Carga Capacitiva: 2200µF
• Rango de temperatura de funciona-miento: -40℃ to +105℃
• Protección continua contra cortocircuitos

QA_T-R3G Series
• encapsulado en SMD
• Capacitancia de aislamiento ultra- baja: 2.5pF (typ.)
• CMTI>200kV/μs
• Descarga parcial: 2500V
• Tensión de aislamiento: 5000VAC (aislamiento reforzado)
• Max. Carga Capacitiva: 2200µF
• Rango de temperatura de funciona-miento: -40℃ to +105℃
• Protección continua contra corto- circuitos
• Alta eficiencia de hasta el 86%

QA123CT-1803R3G

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