Toshiba Electronics Europe GmbH presenta el nuevo circuito integrado driver de puerta de MOSFET TCK421G, que controla la tensión de puerta de MOSFET de canal N externos en función de la tensión de entrada.

Este driver de puerta de MOSFET está indicado para configurar un multiplexor de potencia o un circuito conmutador de carga que incorpora bloqueo de corriente inversa junto con una conexión back-to-back de MOSFET de canal N externos.
 
El TCK421G incorpora un circuito de bomba de carga que admite un amplio rango de tensiones de entrada (VIN) de 2,7 a 28,0V y suministra una alimentación estable de 10V a la tensión puerta-fuente de MOSFET externos, facilitando así la conmutación de altas corrientes. La corriente típica de entrada en reposo en ON (IQ(ON)) tiene un valor mínimo de 140mA, mientras que la corriente en espera en OFF (IQ(OFF)) es de solo 0,5mA. Además, el TCK421G contiene una función de bloqueo por sobretensión y subtensión. La tensión de control de puerta se puede seleccionar para adaptarla a la aplicación.
 
El dispositivo, suministrado en un encapsulado WCSP6G, ocupa una superficie de tan solo 1,2mm x 0,8mm y su altura es de 0,35mm. Se trata de uno de los encapsulados más pequeños de la industria y permite el uso de dispositivos de alta densidad como los de tipo vestible (wearables) y smartphones.
 
El TCK421G es el primer producto anunciado dentro de una serie que estará formada por seis dispositivos. A causa de su alta eficiencia y pequeño tamaño, el nuevo driver se puede utilizar en una gran variedad de aplicaciones, como equipos alimentados por baterías, de consumo e industriales.

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