Tel.: +34 91 706 56 69
Poema Sinfónico, 27. Esc B. Planta 1 Pta 5
28054 (Madrid - SPAIN)
e-mail: gm2@gm2publicacionestecnicas.com ó consultas@convertronic.net
InnoSwitch™3-EP 1250 V son los miembros más recientes de la familia InnoSwitch de Power Integrations de circuitos integrados de conmutación flyback CV/CC QR fuera de línea, que cuentan con rectificación síncrona, retroalimentación aislada de seguridad FluxLink™ y una serie de opciones de conmutación: silicio de 725 V, carburo de silicio de 1700 V y PowiGaN en variedades de 750 V, 900 V y ahora 1250 V.
Las pérdidas de conmutación de la tecnología PowiGaN de 1250 V patentada por Power Integrations son inferiores a un tercio de las observadas en dispositivos de silicio equivalentes a la misma tensión. El resultado es una eficiencia de conversión de potencia de hasta el 93%, lo que permite fuentes de alimentación flyback muy compactas que pueden suministrar hasta 85 W sin disipador.
En palabras de Radu Barsan, Vicepresidente de Tecnología de Power Integrations: "Power Integrations sigue avanzando en el desarrollo de la tecnología GaN de alto voltaje y su despliegue comercial, dejando obsoletos incluso los mejores MOSFET de silicio de alto voltaje. Fuimos los primeros en comercializar pedidos de gran volumen de circuitos integrados de fuente de alimentación basados en GaN en 2019, y a principios de este año presentamos una versión de 900 voltios de nuestros productos InnoSwitch basados en GaN. Nuestro desarrollo continuo de la tecnología GaN de voltaje más alto, ilustrado aquí por nuestros nuevos dispositivos de 1250 V, amplía los beneficios de eficiencia de GaN a una gama aún más amplia de aplicaciones, incluidas muchas actualmente atendidas por la tecnología de carburo de silicio."
Los diseñadores que utilicen los nuevos circuitos integrados InnoSwitch3-EP 1250 V pueden especificar con toda confianza una tensión de pico operativa de 1000 V, lo que permite una reducción del 80 por ciento de la tensión máxima absoluta de 1250 V, estándar del sector. Esto proporciona un margen de maniobra significativo para aplicaciones industriales y es especialmente valioso en entornos adversos de redes eléctricas, donde la robustez es una defensa esencial contra la inestabilidad de la red, las sobretensiones y otras perturbaciones de la energía.
Disponibilidad y recursos
Las muestras ya están disponibles; el plazo de entrega de los circuitos integrados InnoSwitch3-EP de 1250 V es de 16 semanas. El precio de los dispositivos InnoSwitch3-EP 1250 V en el encapsulado INSOP-24D comienza en 3 dólares por 10.000 unidades. Se puede descargar gratuitamente un diseño de referencia, DER-1025, que describe un convertidor flyback de 12 V y 6 A.
Suscripción papel: 180,00.- € (IVA inc.)
Suscripción PDF: 60,00.- € (IVA inc)
Renesas Electronics Corporation ha anunciado que ha diseñado y probado un núcleo de CPU de 32 bits basado en la arquitectura de conjunto de...
Mouser ya tiene en stock el sistema en chip (SoC) FG28 de Silicon Labs. El FG28 está diseñado para redes de largo alcance y protocolos como Amazon...
El amplificador de prioridad es ideal para sistemas basados en señales analógicas que requieren una respuesta precisa de prioridad a múltiples...
Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado su primer MOSFET de drenaje común (Common-Drain) de canal N de 30V. El nuevo dispositivo...
Suscríbete a nuestro boletín de noticias