Circuitos integrados

MOSFET de canal N para automoción en encapsulado L-TOGL™

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Toshiba Electronics Europe GmbH ha lanzado dos dispositivos MOSFET de potencia de canal N para automoción con el fin de satisfacer la creciente demanda de baterías y sistemas de 48 V dentro de las aplicaciones de automoción, incluyendo inversores, relés semiconductores, interruptores de carga, accionamientos de motor y más.

El sector de la automoción requiere semiconductores de potencia que ofrezcan altos niveles de fiabilidad, una gran corriente de drenaje (ID) y una excelente disipación del calor.

Esto es especialmente cierto en el caso de los dispositivos utilizados en inversores de tracción, sistemas de gestión de baterías y cajas de conexiones de vehículos eléctricos (VE) generadores de arranque integrados (ISGs).

Los nuevos XPQR8308QB de 80 V y XPQ1R00AQB de 100 V se basan en el nuevo proceso U-MOS X-H de Toshiba. Esto proporciona bajos niveles de resistencia (RDS(ON)ya que el XPQR8308QB mide menos de 0,83mΩ, mientras que el XPQ1R00AQB no supera los 1,03mΩ. Los dispositivos están clasificados para valores de ID de 350A (XPQR8308QB) y 300A (XPQ1R00AQB) de forma continua con valores pulsados (IDP) de 1050A y 900A respectivamente.

basada en clips que conecta térmica y eléctricamente el chip MOSFET a los conductores del encapsulado. Esto reduce la resistencia del encapsulado en aproximadamente un 70% y la impedancia térmica canal-carcasa (Zth(ch-c)) en un 50% en comparación con el encapsulado TO-220SM(W). Juntos, el proceso y el clip reducen las pérdidas y la generación de calor, al tiempo que crean una solución muy eficiente desde el punto de vista térmico.

Además, el encapsulado L-TOGL utiliza terminales de ala de gaviota que reducen la tensión de montaje y mejoran la fiabilidad de las uniones soldadas. Esto contribuye a garantizar la fiabilidad de la ECU en aplicaciones de automoción con condiciones de temperatura adversas. Ambos dispositivos cuentan con la certificación AEC-Q101 para aplicaciones de automoción.

Los MOSFET suelen conectarse en paralelo para aumentar la capacidad de corriente, especialmente en aplicaciones de automoción. Para que funcionen con eficacia, las especificaciones de los MOSFET deben coincidir estrechamente, por lo que Toshiba ofrece el envío de dispositivos agrupados con un margen de 0,4 V en función de su tensión de umbral de puerta.

Toshiba ofrece ahora cuatro MOSFET alojados en el innovador encapsulado L-TOGL, incluidos los dos productos Toshiba de 40V existentes, XPQ1R004PB y XPQR3004PB, junto con los productos que se anuncian hoy. Toshiba ofrece productos adecuados para aplicaciones de automoción que requieren cada vez más corrientes elevadas, alta densidad de potencia y excelentes niveles de robustez. 

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