ROHM Semiconductor ha anunciado recientemente el desarrollo de una segunda generación de módulos de potencia SiC de alta tensión (1200V), diseñado para inversores y convertidores en acondicionadores de potencia para dispositivos industriales y generación de energía fotovoltaica. Las características incluyen una baja pérdida de potencia y alta fiabilidad, reduciendo el consumo de energía y permitiendo el soporte para pequeños componentes periféricos.

El SCH2080KE es el primer módulo de potencia SiC en integrar con éxito un SiC SBD en un solo encapsulado. La tensión directa (VF) se reduce en un 70% o más para una menor pérdida de potencia y menor necesidad de componentes.

Los IGBTs Si usados comunmente en los inversores y convertidores de 1200 V, causan una pérdida de potencia de conmutación debido a la corriente de cola o la recuperación del FRD externo, con lo que se necesita de un módulo de potencia SiC capaz de funcionar con una baja pérdida de conmutación a altas frecuencias. Sin embargo, los módulos de potencia SiC convencionales estuvieron plagados de problemas de fiabilidad, incluyendo la degradación característica debido a la conducción del cuerpo del diodo (por ejemplo, aumento en la resistencia ON, tensión directa y degradación de resistencia) y fallos de la  película de óxido de la puerta, haciendo imposible la integración a escala completa.

ROHM ha tenido éxito en la superación de estos problemas mediante la mejora de los procesos relacionados con defectos en el cristal y la estructura del dispositivo y reduciendo resistencia ON por unidad de superficie, aproximadamente un 30% en comparación con los productos convencionales, dando lugar a un aumento de la miniaturización.

ROHM también ha logrado integrar en el mismo encapsulado, un SiC SBD (que previamente tenía que ser montado en el exterior), utilizando su tecnología patentada de montaje, reduciendo al mínimo la tensión directa que era problemática en los anteriores cuerpos de diodos de los módulos de potencia SiC. Como resultado, el SCH2080KE reduce la pérdida de potencia de funcionamiento en un 70% o más en comparación con los IGBT de Si utilizados en convertidores comunes. Esto no sólo proporciona una menor pérdida de conmutación, sino que también permite la compatibilidad con componentes más pequeños periféricos mediante el soporte a frecuencias superiores a 50 kHz.

ROHM también ofrece el SCT2080KE, un módulo de potencia SiC sin SiC SBD interna. Tanto el SCH20801KE como el SCT2080KE se pueden configurar en función de las necesidades del cliente.

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