Con motivo del PCIM en Nuremberg que se celebrará del 10 al 12 de mayo de 2016, ROHM Semiconductor presenta sus últimas novedades de productos de alimentación para la conmutación de alta velocidad y rendimiento de alta potencia, al mismo tiempo que satisface la necesidad de un mayor ahorro de energía y una mayor eficiencia (Hall 9 - Stand 316).

Los dispositivos de energía avanzados producen un enorme impacto en el ahorro de energía en todo tipo de sistemas de energía, convirtiéndolas en un elemento vital en las tecnologías del futuro. Liderando el desarrollo en todas las áreas de productos de potencia Si y SiC (carburo de silicio) y en base a sus completas capacidades de cambios de suministro en sus instalaciones, ROHM presentará sus dispositivos de potencia de última tecnología.

1. Diodos Schottky Barrier (SBDs) SiC de 3ª generación para mejorar el rendimiento y la fiabilidad
Desarrolloando continuamente su cartera, ROHM presentara´su nueva 3ª generación de SBD SiC para un rendimiento mejorado. El primero de este tipo tiene una potencia de 650 V / 6, 8, 10 A y vienen en un encapsulado TO220AC. Consiguen las menores VF e IR dentro de todo el rango de temperatura de entre todos los SBDs SiC disponibles en el mercado. Además de esto, disponen de alta capacidad de corriente de sobretensión, adecuada para aplicaciones de fuente de alimentación. Como esta 3ª generación contiene la estructura de unión PN junto con Schottky Barrier, también se garantiza durabilidad en funcionamiento bipolar. Estas características contribuyen a la tendencia en curso de alta eficiencia, alta densidad de potencia y diseños muy robustos.
2. Módulo Full SiC de 1200 V / 180 A de 3ª Generación, para funcionamiento de alta frecuencia más eficiente
ROHM ha sido pionero en módulos de potencia comerciales equipados con MOSFETs SiC y SBD SiC. ROHM presentará su nuevo módulo de potencia SiC BSM180D12P3C007 de 1200 V / 180 A. El módulo SiC Half-Bridge integra MOSFETs SiC trench-type y SBDs SiC embebidos en el mismo espacio, como los módulos anteriores. Basándose en la estructura UMOS avanzada, el nuevo módulo de conmutación alcanza una pérdida un 77% menor que los módulos IGBT convencionales y 42% menor pérdida por conmutación que los módulos SiC que utilizan la estructura SiC-DMOS. Esto no sólo permite un funcionamiento de alta frecuencia, sino que también contribuye a sistema de refrigeración más pequeño y componentes periféricos que resultan en mayores ahorros de energía y miniaturización del producto final.

3. Arduino Shield para motores paso a paso, para diseños más fáciles en escalas de tiempo más cortas
Con el fin de apoyar la evaluación de sus controladores de motor y para apoyar, facilitar y acelerar los diseños propios de los clientes, ROHM va a lanzar un kit de evaluación basados ​​en Arduino (EVK). Diseñado como "shield" que se conecta directamente a la placa base principal de Arduino, este EVK permite a los ingenieros evaluar y hacer prototipos rápidamente de los sistemas de motor paso a paso. Se presenta en 15 variantes para los diferentes CIs controladores de motor paso a paso de ROHM, desde el estándar, micro paso, baja tensión a alta tensión. Esta solución completa cubre tensiones de alimentación de 8V a 42V, permite hasta 2,5 A por fase, así como micro-paso y control de una o de múltiples fases, de uno o dos motores paso a paso. El EVK de fácil adaptación, se suministra con una biblioteca de software y programas de ejemplo para facilitar una rápida curva de aprendizaje.

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