ROHM ha anunciado la disponibilidad de seis MOSFETs de SiC con estructura de puerta vertical (650V/1200V), la serie SCT3xxx xR-Serie, ideal para fuentes de alimentación de servidores, sistemas SAI, inversores de energía solar y estaciones de carga de vehículos eléctricos que requieren alta eficiencia.

La serie SCT3xxx xR utiliza un encapsulado de 4 pines (TO-247-4L) que maximiza el rendimiento de conmutación, permitiendo reducir las pérdidas por conmutación hasta en un 35% en comparación con los tipos de encapsulados de 3 pines convencionales (TO-247N). Esto contribuye a reducir el consumo de energía en un gran número de aplicaciones.

En los últimos años, las necesidades cada vez mayores de servicios en la nube debido a la proliferación de la IA y la IoT han aumentado la demanda de centros de datos en todo el mundo. Pero para los servidores utilizados en los centros de datos, uno de los principales retos es cómo reducir el consumo de energía a la vez que se aumenta la capacidad y el rendimiento. Al mismo tiempo, los dispositivos de SiC están atrayendo la atención debido a sus menores pérdidas en comparación con los dispositivos de silicio convencionales en los circuitos de conversión de energía de los servidores. Además, como el encapsulado TO-247-4L permite reducir las pérdidas por conmutación en comparación con los encapsulados convencionales, se estima que será adoptado en aplicaciones de alto rendimiento como servidores, estaciones base y sistemas de generación de energía solar.

En 2015, ROHM se convirtió en el primer proveedor en producir en masa con éxito MOSFETs de SiC de tipo”trench gate”, y actualmente continúa liderando la industria en el desarrollo de productos. Además de estos nuevos MOSFETs de SiC de alta eficiencia de 650V/1200V, estamos comprometidos con el desarrollo de dispositivos innovadores y en proponer soluciones que contribuyan a reducir el consumo de energía en un gran número de dispositivos, incluyendo circuitos integrados de controladores de puerta (“gate drivers”) optimizados para unidades SiC.

ROHM también propone soluciones que facilitan la evaluación de aplicaciones, incluyendo una tarjeta de evaluación de MOSFETs de SiC, P02SCT3040KR-EVK-001, equipada con circuitos integrados de controladores de puerta (BM6101FV-C) junto con circuitos integrados de alimentación eléctrica y componentes discretos optimizados para la unidad de dispositivos de SiC.

Características clave
El encapsulado de 4 pines (TO-247-4L) reduce la pérdida por conmutación hasta en un 35%
Con los paquetes convencionales de 3 pines (TO-247N), la tensión de puerta efectiva en el chip se reduce debido a la caída de tensión a través de la inductancia parásita del terminal de la fuente. Esto hace que la velocidad de conmutación se reduzca. La adopción del encapsulado de 4 pines TO-247-4L separa los pines del controlador y de la fuente de alimentación, minimizando los efectos del componente de inductancia parásita. Esto permite maximizar la velocidad de conmutación de los MOSFETs de SiC, reduciendo la pérdida total por conmutación (encendido y apagado) hasta en un 35% en comparación con el encapsulado convencional.

Gama
La serie SCT3xxx xR consta de MOSFETs de SiC que utilizan una estructura de puertavertical (“trench gate”). Se ofrecen seis modelos, con una tensión de ruptura de 650V (3 productos) o 1200V (3 productos).
(ver tabla)

Aplicaciones
Sistemas SAI, inversores de energía solar, sistemas de almacenamiento de energía, estaciones de carga de vehículos eléctricos, fuente de alimentación para parques de servidores y estaciones base y más.

Placa de evaluación
La tarjeta de evaluación de MOSFETs de SiC de ROHM (P02SCT3040KR-EVK-001) está equipada con nuestros circuitos integrados de controlador de puerta (BM6101FV-C) optimizados para controlar dispositivos de SiC junto con múltiples circuitos integrados de alimentación eléctrica y componentes discretos adicionales que facilitan la evaluación y desarrollo de aplicaciones. La compatibilidad con ambos tipos de encapsulados TO-247-4L y TO-247N permite la evaluación de ambos encapsulados en las mismas condiciones. La tarjeta se puede utilizar para pruebas de impulso doble, así como para la evaluación de componentes en circuitos elevadores, inversores de 2 niveles y circuitos reductores de rectificación síncronos.

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