Circuitos integrados

MOSFETs de aplicación específica (ASFETs) que aumentan el SOA en un 166% y reducen el espacio de la PCB en un 80%

Inicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivado
 

Nexperia anunciado nuevos ASFETs de 80 V y 100 V con un rendimiento SOA mejorado, dirigidos a aplicaciones de intercambio en caliente y arranque suave en sistemas de telecomunicaciones 5G y entornos de servidores de 48 V y equipos industriales que necesitan protección con fusibles electrónicos y baterías.

Los ASFET son una nueva clase de MOSFET optimizados para su uso en determinados escenarios de diseño. Al centrarse en parámetros específicos críticos para una aplicación, a veces a expensas de otros que son menos importantes en el mismo diseño, se pueden alcanzar nuevos niveles de rendimiento. Los nuevos ASFETs de intercambio en caliente utilizan una combinación de la última tecnología de silicio de Nexperia y la construcción del encapsulado con clips de cobre para reforzar significativamente el área de funcionamiento seguro (SOA) y minimizar el área de la PCB.

Anteriormente, los MOSFET sufrían el efecto Spirito, por el que el rendimiento del SOA disminuye rápidamente debido a la inestabilidad térmica a tensiones más altas. La robusta tecnología SOA mejorada de Nexperia elimina el "efecto Spirito", aumentando el SOA en un 166 % a 50 V en comparación con las generaciones anteriores en D2PAK.

Otro avance importante es la inclusión de las características de SOA a 125 °C en la hoja de datos. Según Mike Becker, Director Internacional de Marketing de Producto de Nexperia: "Tradicionalmente, el SOA sólo se especifica a 25 °C, lo que significa que los diseñadores tienen que reducir la potencia para el funcionamiento en entornos calurosos. Nuestros nuevos ASFETs de intercambio en caliente incluyen una especificación de SOA de 125 °C, lo que elimina esta tarea que consume tiempo y confirma el excelente rendimiento de Nexperia incluso a temperaturas elevadas".

Los nuevos ASFETs de intercambio en caliente PSMN4R2-80YSE (80 V, 4,2 mΩ) y PSMN4R8-100YSE (100 V, 4,8 mΩ) están encapsulados en el LFPAK56E compatible con Power-SO8. La exclusiva construcción interna de pinza de cobre del encapsulado mejora el rendimiento térmico y eléctrico al tiempo que reduce sustancialmente el tamaño de la huella. Los nuevos productos LFPAK56E miden sólo 5 mm x 6 mm x 1,1 mm, lo que supone una reducción del 80% y del 75% en la huella de la placa de circuito impreso y en la altura del dispositivo, respectivamente, en comparación con los D2PAK de generaciones anteriores. Los dispositivos también presentan una temperatura de unión máxima de 175 °C, cumpliendo la normativa IPC9592 para aplicaciones industriales y de telecomunicaciones.

Añade Becker: "Otra ventaja es la mejora del reparto de la corriente en aplicaciones de alta potencia que exigen el uso de varios MOSFETs de intercambio en caliente en paralelo, lo que mejora la fiabilidad y reduce el coste del sistema". Nexperia es ampliamente reconocido como el líder del mercado de MOSFETs de intercambio en caliente. Con estos últimos ASFET, hemos vuelto a subir el listón".

Los nuevos ASFETs de intercambio en caliente son los últimos dispositivos fabricados en la nueva planta de producción de obleas de 8 pulgadas de Nexperia en Manchester (Reino Unido), con capacidad preparada para pedidos en volumen.

Más información, incluidas las especificaciones del producto y las hojas de datos


También puede ver esta nueva tecnología en acción en el evento Power Live de Nexperia del 21 al 23 de septiembre

Articulos Electrónica Relacionados

Edicion Revista Impresa

1ww   

Para recibir la edición impresa o en PDF durante 1 año (10 ediciones)

Suscripción papel: 60,00.- € + IVA

Suscripción PDF: 12,00.- € + IVA

Noticias Populares Electrónica

CI de convertidor CC/CC de ROHM para ADAS

ROHM ha desarrollado el CI de convertidor CC/CC reductor con MOSFET (regulador de conmutación) integrado, BD9S402MUF-C, para aplicaciones de...

Amplificador de potencia de GaN de 55 W Qorvo QPA1314T

Mouser ya ofrece el amplificador de potencia (AP) QPA1314T de Qorvo®. Fabricado con el proceso de nitruro de galio sobre carburo de silicio (GaN en...

Amplificador operacional de búfer BUF802, de TI

Mouser ya ofrece el amplificador operacional de búfer de alta velocidad BUF802 de Texas Instruments (TI). El BUF802 incrementa exponencialmente el...

Amplificador de potencia de GaN para la banda Ku/K QPA1724 de Qorvo, optimizado para las SATCOM militares y comerciales

Mouser vende ya el amplificador de potencia de nitruro de galio (GaN) para la banda Ku/K QPA1724 de Qorvo®. El QPA1724, que proporciona el doble de...

Convertronic

Revista © Convertronic Electrónica Profesional Española.Todos los derechos reservados GM2 Publicaciones Técnicas, S.L.
Tel.: +34 91 706 56 69
Poema Sinfónico, 27. Esc B. Planta 1 Pta 5
28054 (Madrid - SPAIN)
e-mail: gm2@gm2publicacionestecnicas.com ó consultas@convertronic.net

Suscríbete a nuestro boletín de noticias

Revista Española de electrónica. Impresa desde hace más de 25 años.

España - Madrid - Todos los derechos reservados Revista © Convertronic Electrónica Profesional Española
TIC FREAK COMPANY OnServices Sistemas

Search