Revista Electrónica Profesional Impresa hace más de 25 años.

Información para Empresas y Electrónicos

Otros Semiconduct

Módulos Full-SiC de 1700 V de StarPower

Inicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivado
 

La amplia gama de módulos SiC de 62 mm de StarPower Semiconductor Ltd, partner de Media MicroComputer y marca representada en todo el grupo Steliau Technology-EUROPE, ofrece una alternativa inteligente a las soluciones IGBT en producción desde hace varios años.
StarPower ofrece una gama de módulos de medio puente Full-SiC en un encapsulado estándar en el sector de 62 mm ampliamente probada en diseños y productos de mercado.
Los modelos más significativos son las siguientes versiones estándar:

StarPower ha diseñado estos modelos con topologías de medio puente con mosfets de SiC que aprovechan el diodo interno del cuerpo del mosfet para la conducción inversa.

Para garantizar la máxima fiabilidad, tanto de las muestras como en las producciones en volúmenes estándar realizan un proceso de sinterización para todos los módulos de SiC de 62 mm. Además de poder llegar, si el cliente lo requiere, a tensiones de aislamiento de 6,5 kV bajo pedido.

Media MicroComputer es consciente que los requisitos de las aplicaciones suelen ser diversos. Algunas pueden requerir bajas pérdidas de conducción y bajo Rth, otras bajas pérdidas de conmutación o una relación coste/rendimiento optimizada para aplicaciones sensibles al precio. Para garantizar que nuestros clientes puedan adoptar todo el potencial del SiC a sus necesidades, StarPower ofrece total flexibilidad dentro del diseño existente sin costes adicionales de utillaje. Esta posibilidad nos ofrece diseños con menor ID y mayor Rdson en beneficio de un menor coste del módulo o diseñar con pérdidas de conmutación mejoradas con Rdson más alto.
Este es una pequeña muestra de la capacidad de StarPower que desde el 2005 diseña y fabrica módulos IGBT y módulos personalizados para aplicaciones en el área de inversores, equipos de soldadura, calentamiento inductivo, SAI, VE, energía solar/eólica y otras aplicaciones que necesitan un el rango de potencia de 10kW hasta 1MW o más.

Para acompañar en la personalización de módulos a la aplicación del cliente los ingenieros de Media MicroComputer y los de StarPower Europe AG con sede en Suiza, Cadenazzo, ofrecen su conocimiento y know-how para obtener los mejores resultados.

Más información

Articulos Electrónica Relacionados

Redes Sociales

Edicion Revista Impresa

1ww   

Para recibir la edición impresa o en PDF durante 1 año (10 ediciones)

Suscripción papel: 180,00.- €  (IVA inc.)

Suscripción PDF: 60,00.- € (IVA inc)

Noticias Populares Electrónica

Fotorrelés para aplicaciones de prueba de semiconductores

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado un nuevo fotorrelé capaz de funcionar con un accionamiento de baja tensión. Esto, junto con...

SoC Renesas DA14592 BLE 5.2 para conectividad inalámbrica

Mouser ya tiene en stock el sistema en chip (SoC, por sus siglas en inglés) DA14592 Bluetooth® Low-Energy (BLE) 5.2 con flash integrado de Renesas...

Cerraduras inteligentes Matter sobre Thread nativas

Silicon Labs ha anunciado hoy que sus soluciones han sido seleccionadas para las primeras cerraduras inteligentes Matter sobre Thread nativas en el...

Acelerador de IA para modelos ligeros de IA y tecnología de procesador embebido para permitir el procesamiento en tiempo real

Renesas Electronics Corporation ha anunciado el desarrollo de tecnología de procesador embebido que permite mayores velocidades y menor consumo de...

Noticias Electrónica Profesional

Noticias Fuentes de Alimentación

MOSFET de potencia de canal N de 40 V en encapsulados L-TO

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado dos nuevos MOSFET de potencia de canal N de 40...

MOSFET diminuto de canal N de drenaje común de Toshiba

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado un MOSFET de canal N de drenaje común de 12 V...

6ª Generación de procesadores Intel® Core™

Basada en la nueva microarquitectura Skylake, desarrollada con la tecnología de fabricación de Intel...

Actualidad Electrónica Profesionales

MOSFET de potencia de canal N de 40 V en encapsulados L-TO

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado dos nuevos MOSFET de potencia de canal N de 40...

MOSFET diminuto de canal N de drenaje común de Toshiba

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado un MOSFET de canal N de drenaje común de 12 V...

6ª Generación de procesadores Intel® Core™

Basada en la nueva microarquitectura Skylake, desarrollada con la tecnología de fabricación de Intel...

Convertronic

Revista © Convertronic Electrónica Profesional Española.Todos los derechos reservados GM2 Publicaciones Técnicas, S.L.
Tel.: +34 91 706 56 69
Poema Sinfónico, 27. Esc B. Planta 1 Pta 5
28054 (Madrid - SPAIN)
e-mail: gm2@gm2publicacionestecnicas.com ó consultas@convertronic.net

Suscríbete a nuestro boletín de noticias

Revista Española de electrónica. Impresa desde hace más de 25 años.

España - Madrid - Todos los derechos reservados Revista © Convertronic Electrónica Profesional Española.

Search