Farnell distribuye los nuevos TRENCHSTOP™ IGBT7 de 1200 V y diodo EC7 de emisor controlado de Infineon. Encapsulado en las populares carcasas Easy, este EasyPIN™ IGBT ofrece mayor densidad de potencia y menor coste y tamaño del sistema. La tecnología del TRENCHSTOP™ IGBT7 de 1200 V y diodo EC7 se basa en la tecnología de zanja de micropatrones más reciente y ha sido optimizada para aplicaciones de controladores industriales, lo que tiene como resultado pérdidas de estática mucho menores para cumplir con los requisitos de eficiencia energética, conmutación más suave y mejor control.

Asimismo, al aumentar la temperatura máxima permitida de unión de sobrecarga a 175 °C, se puede obtener un aumento significativo en la densidad de potencia.

El TRENCHSTOP™ IGBT7 de 1200 V está disponible en varios módulos: el EasyPIM™ 1B de 1200 V, PIM (módulos de potencia integrados) trifásicos de rectificador de entrada en opciones de 10 A y 25 A; el módulo IGBT sixpack EasyPACK™ 2B de 1200 V; y el módulo IGBT sixpack de 100 A. Los nuevos módulos están diseñados con la misma distribución de pines que los módulos TRENCHSTOP IGBT4, lo que ayuda a los ingenieros de diseño a reducir el esfuerzo necesario para sus diseños. Los nuevos módulos también están disponibles en corriente de salida más alta en el mismo encapsulado o corriente de salida similar en un encapsulado más pequeño, lo que tiene como resultado diseños de inversores más compactos cuando es necesario. Todos los tipos de módulos están equipados con la tecnología de montaje PressFit fiable de Infineon para una resistencia óhmica baja y un tiempo de procesamiento reducido.

Las ventajas principales del TRENCHSTOP™ IGBT7 incluyen:
• Bajas pérdidas: nueva tecnología de chip que muestra pérdidas mucho más bajas con baja Vce(sat) optimizada.
• dv/dt optimizada para 2 - 8k V/µs, óptima para aplicaciones de controladores.
• El cortocircuito está diseñado para un mejor rendimiento, 8 µs a 150 °C es suficiente para aplicaciones de controladores.
• El controlador de puerta es más simple y ha sido optimizado para el acondicionamiento de las aplicaciones. Solo una resistencia de puerta es suficiente para controlar.
• Aumento de la Tvjop hasta 175 °C que incrementa la densidad de potencia.
• La mejor VCE(sat).
• Funcionamiento a 175 °C en sobrecarga.
• Mejor control optimizado para aplicaciones de controlador.
• Mayor densidad de potencia: la misma potencia en un encapsulado un 35 % más pequeño.
Los módulos TRENCHSTOP™ IGBT7 de 1200 V y diodo EC7 de emisor controlado de Infineon están disponibles en Farnell en Europa.

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