Vitesco Technologies, fabricante internacional de tecnologías de accionamiento y soluciones de electrificación, se ha asegurado capacidades estratégicamente importantes en semiconductores de potencia de carburo de silicio energéticamente eficientes a través de una asociación de suministro a largo plazo con ROHM, por valor de más de mil millones de dólares estadounidenses hasta 2030.

La asociación de desarrollo con el fabricante ROHM, que comenzó en 2020, sentó las bases para la asociación de suministro firmada ahora en Ratisbona. Los inversores avanzados de Vitesco Technologies con chips de SiC ROHM integrados serán adoptados por dos clientes, para ser aplicados dentro de los trenes motrices de vehículos eléctricos. Vitesco Technologies empezará a suministrar un primer proyecto en serie ya en 2024. La empresa se adelanta así al calendario inicialmente previsto.

"El acuerdo de suministro con ROHM es un elemento importante para asegurar las capacidades de SiC de Vitesco Technologies en los próximos años", dijo Andreas Wolf, CEO de Vitesco Technologies, en la ceremonia de firma en Regensburg. "Hasta ahora hemos tenido una muy buena experiencia en nuestra cooperación de desarrollo y ahora esperamos no sólo continuarla, sino intensificarla aún más", añade Wolf.

"En el mercado de la automoción, de gran crecimiento, el SiC es un precursor de una mayor eficiencia. Con una cuota de mercado prevista superior al 30%, estamos muy bien posicionados y hemos conseguido un socio estratégico en Vitesco Technologies para seguir penetrando en el mercado", declaró el Dr. Kazuhide Ino, miembro del Consejo de Administración, Consejero Delegado y Director Financiero de ROHM Co. Ltd. en la ceremonia de la firma.

Pequeña causa, gran efecto
El carburo de silicio pertenece a los llamados semiconductores de banda prohibida ancha, cuya amplia banda prohibida (simplificado: la diferencia de energía entre el estado no conductor y el estado conductor de los electrones en el material) permite una menor resistencia eléctrica y chips de conmutación rápida y de bajas pérdidas para la electrónica de potencia. Al mismo tiempo, los chips de SiC son más resistentes térmicamente, por lo que se puede aumentar la densidad de potencia de la electrónica.

Gracias a estas características, la electrónica de SiC presenta unas pérdidas de conversión reducidas en comparación con el silicio (Si) convencional. Especialmente a altos niveles de tensión, como 800 V, los inversores de SiC son más eficientes que los modelos de Si. Dado que 800 V es el requisito previo para una carga de alto voltaje rápida y, por tanto, cómoda, los dispositivos de SiC se encuentran al principio de un boom mundial. La reducción de las pérdidas de conversión en el inversor también es importante para la eficiencia global de la conducción eléctrica y, por tanto, para la autonomía. La competencia por conseguir capacidades suficientes en los componentes fabricados con este material de alta tecnología es, en consecuencia, feroz.

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