Cambridge GaN Devices ha presentado sus componentes con la menor resistencia a conexión (RDS_(on)) de su historia, que han sido diseñadas con una nueva matriz y nuevos encapsulados para ofrecer las ventajas del GaN a aplicaciones de alta potencia como centros de datos, inversores, accionamientos de motores y otras fuentes de alimentación industriales. Los nuevos CIs de la serie ICeGaN™ P2 presentan niveles de RDS(on) de hasta 25 mΩ, soportando niveles de potencia de varios kW con la máxima eficiencia

Andrea Bricconi, director de comercial de CGD, afirma: "El crecimiento explosivo de la IA está provocando un aumento significativo del consumo de energía, lo que impulsa a los diseñadores de sistemas de centros de datos a priorizar el uso de GaN para soluciones de alimentación eficientes y de alta potencia. Esta nueva serie de circuitos integrados Power GaN es un paso más para que CGD ayude a nuestros clientes y socios a alcanzar y superar la densidad de potencia de 100 kW/rack en los centros de datos, requerida por las tendencias más recientes de TDP (potencia de diseño térmico) para la informática de alta densidad". En cuanto a los inversores de control de motores, los desarrolladores recurren a GaN para reducir el calor y conseguir sistemas de potencia más pequeños y duraderos. Estos son sólo dos ejemplos de los mercados a los que CGD se dirige ahora de forma agresiva con estos nuevos circuitos integrados ICeGaN de alta potencia. El diseño simplificado de los controladores de puerta y la reducción de los costes del sistema, combinados con un avanzado embalaje de alto rendimiento, hacen de los CI de la serie P2 una excelente elección para estas aplicaciones."

Los circuitos integrados ICeGaN, que incorporan una pinza Miller en el chip para eliminar las pérdidas durante la conmutación rápida y la desconexión a 0 V para minimizar las pérdidas por conducción inversa, superan a los circuitos integrados discretos e-Mode GaN y a otras tecnologías existentes. Los nuevos encapsulados ofrecen una resistencia térmica mejorada de tan sólo 0,28 K/W -una vez más, equivalente o mejor que cualquier otra cosa disponible actualmente en el mercado- y la disposición de pines de doble puerta del encapsulado DHDFN-9-1 (Dual Heat-spreader DFN) de doble cara facilita un diseño óptimo de la placa de circuito impreso y un sencillo paralelismo para la escalabilidad, lo que permite a los clientes abordar aplicaciones de varios kW con facilidad. Los nuevos encapsulados también se han diseñado para mejorar la productividad, con flancos humectables para simplificar la inspección óptica.

Los nuevos circuitos integrados de potencia ICeGaN de la serie P2 ya se están probando. La familia incluye cuatro dispositivos con niveles de RDS(on) de 25 mΩ y 55 mΩ, con potencias nominales de 60 A y 27 A, en encapsulados DHDFN-9-1 y BHDFN-9-1 (Bottom Heat-spreader DFN) de 10 x 10 mm de huella. Al igual que todos los productos ICeGaN de CGD, la serie P2 puede controlarse con cualquier controlador MOSFET o IGBT estándar.

Dos placas de demostración incorporan los nuevos dispositivos P2: una placa de demostración de un inversor trifásico para automoción, desarrollada en colaboración con el instituto público francés de I+D IFP Energies nouvelles, y una placa de demostración de corrección del factor de potencia de un tótem de 3 kW.

Los nuevos circuitos integrados de potencia ICeGaN GaN de la serie P2 y las tarjetas de demostración se presentaron públicamente en la feria PCIM, en el stand de CGD nº 7 643, Nürnberg Messe, Núremberg, Alemania, del 11 al 13 de junio de 2024.

Más información