Vishay Intertechnology, distribuido en España y Portugal por RC Microelectrónica presenta su nueva referencia SiZF300DT, un Dual Mosfet de 30V en configuración de “Half Bridge”, donde se combinan un High Side TrenchFET y Low Side SkyFET con Schottky de recuperación integrados en un compacto encapsulado Power PAIR 3.3m m x 3.3mm.

Este nuevo componente ofrece una mayor densidad de potencia, permitiendo una reducción de tamaño y ahorro de espacio en la PCB, mejorando la eficiencia y entregando mayor corriente.

Con resistencias de conducción muy bajas (<5mOhms) y diseñados para conmutación rápida con Capacidades de Puerta muy pequeñas (< 20nC)
Resulta ideal para el diseño de fuentes de alimentación, POL o convertidores DC/DC, en aplicaciones como TELECOM, RadioFrecuencia o PC/Servidores.
 
Características
• MOSFET de potencia TrenchFET® Gen IV.
• MOSFET Low Side SkyFET® con Schottky integrado.
• 100% Rg y UIS probado.
• Configuración de Half Bridge en una superfície de 3,3 mm por 3,3 mm.
• Categorización del material: para ver las definiciones de cumplimiento, visite www.vishay.com/doc?99912

Aplicaciones
• Alimenteción de CPU
• Periféricos de PC / servidor
• POL Convertidor BUCK
• Telecomunicaciones DC / DC

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