Revista Electrónica Profesional Impresa hace más de 25 años.

Información para Empresas y Electrónicos

Otros Semiconduct

Dispositivo de alimentación inteligente para automoción

Inicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivado
 

Renesas Electronics Corporation ha presentado un nuevo dispositivo de alimentación inteligente (IPD) para automoción que controlará de forma segura y flexible la distribución de energía dentro de los vehículos, dando respuesta a los requisitos de las arquitecturas E/E (eléctricas/electrónicas) de próxima generación.

El nuevo RAJ2810024H12HPD está disponible en el pequeño encapsulado TO-252-7 y reduce el área de montaje en casi un 40% en comparación con el producto convencional de encapsulado TO-263. Además, la función avanzada de detección de corriente del nuevo dispositivo permite detectar con gran precisión corrientes anómalas como la sobrecorriente. Dado que el nuevo IPD detecta corrientes anómalas incluso con cargas bajas, permite a los ingenieros diseñar sistemas de control de potencia muy seguros y precisos, capaces de detectar incluso las anomalías más pequeñas.

El nuevo IPD se ha desarrollado para hacer frente a los crecientes requisitos a medida que las arquitecturas E/E siguen evolucionando. En una arquitectura E/E distribuida convencional, la alimentación de la batería se distribuye a cada unidad de control electrónico (ECU) a través de cables largos y gruesos desde una caja de alimentación formada por relés mecánicos y fusibles. Los IPD tienen una vida útil más larga y no requieren mantenimiento en comparación con los relés mecánicos, por lo que pueden colocarse en cualquier lugar del vehículo.

Características principales del nuevo IPD (RAJ2810024H12HPD)
IPD monocanal de lado alto
Pequeño encapsulado TO-252-7 (6,10 x 6,50 mm: sin incluir las patillas)
Baja resistencia de activación (Ron) de 2,3mΩ a 25°C (típ.)
Detección de corriente de alta precisión con cargas bajas
Bomba de carga incorporada
Retroalimentación de autodiagnóstico por detección de corriente de carga
Funciones de protección como cortocircuito de carga, detección de sobrecalentamiento, salida de corriente sensora y protección GND abierta
Admite interfaz lógica de 3,3 V/5 V
Baja corriente de espera
Protección contra conexión inversa de la batería con autoencendido
Cumple las normas de automoción AEC-Q100 y RoHS

Más información

Articulos Electrónica Relacionados

Redes Sociales

Edicion Revista Impresa

1ww   

Para recibir la edición impresa o en PDF durante 1 año (10 ediciones)

Suscripción papel: 180,00.- €  (IVA inc.)

Suscripción PDF: 60,00.- € (IVA inc)

Noticias Populares Electrónica

Fotorrelés para aplicaciones de prueba de semiconductores

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado un nuevo fotorrelé capaz de funcionar con un accionamiento de baja tensión. Esto, junto con...

SoC Renesas DA14592 BLE 5.2 para conectividad inalámbrica

Mouser ya tiene en stock el sistema en chip (SoC, por sus siglas en inglés) DA14592 Bluetooth® Low-Energy (BLE) 5.2 con flash integrado de Renesas...

Cerraduras inteligentes Matter sobre Thread nativas

Silicon Labs ha anunciado hoy que sus soluciones han sido seleccionadas para las primeras cerraduras inteligentes Matter sobre Thread nativas en el...

Acelerador de IA para modelos ligeros de IA y tecnología de procesador embebido para permitir el procesamiento en tiempo real

Renesas Electronics Corporation ha anunciado el desarrollo de tecnología de procesador embebido que permite mayores velocidades y menor consumo de...

Noticias Electrónica Profesional

Noticias Fuentes de Alimentación

MOSFET de potencia de canal N de 40 V en encapsulados L-TO

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado dos nuevos MOSFET de potencia de canal N de 40...

MOSFET diminuto de canal N de drenaje común de Toshiba

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado un MOSFET de canal N de drenaje común de 12 V...

6ª Generación de procesadores Intel® Core™

Basada en la nueva microarquitectura Skylake, desarrollada con la tecnología de fabricación de Intel...

Actualidad Electrónica Profesionales

MOSFET de potencia de canal N de 40 V en encapsulados L-TO

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado dos nuevos MOSFET de potencia de canal N de 40...

MOSFET diminuto de canal N de drenaje común de Toshiba

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado un MOSFET de canal N de drenaje común de 12 V...

6ª Generación de procesadores Intel® Core™

Basada en la nueva microarquitectura Skylake, desarrollada con la tecnología de fabricación de Intel...

Convertronic

Revista © Convertronic Electrónica Profesional Española.Todos los derechos reservados GM2 Publicaciones Técnicas, S.L.
Tel.: +34 91 706 56 69
Poema Sinfónico, 27. Esc B. Planta 1 Pta 5
28054 (Madrid - SPAIN)
e-mail: gm2@gm2publicacionestecnicas.com ó consultas@convertronic.net

Suscríbete a nuestro boletín de noticias

Revista Española de electrónica. Impresa desde hace más de 25 años.

España - Madrid - Todos los derechos reservados Revista © Convertronic Electrónica Profesional Española
TIC FREAK COMPANY OnServices Sistemas

Search