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Soluciones de infraestructura energética de onsemi ya disponibles en Farnell

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Farnell anuncia la disponibilidad de sus nuevos productos EliteSiC de carburo de silicio (SiC), altamente optimizados para las soluciones de infraestructura energética de onsemi. Estos nuevos dispositivos cumplen los requisitos de rendimiento de la próxima generación gracias a sus reducidas pérdidas de conmutación bajo condiciones reales si se comparan con sus competidores.

La transición acelerada hacia la descarbonización está llevando la demanda hacia la instalación de más sistemas de infraestructuras energéticas con cargadores rápidos de corriente continua (DCFC), inversores solares y sistemas de almacenamiento energético en baterías (BESS).

La adopción de etapas de potencia basadas en carburo de silicio es fundamental para reducir las pérdidas de potencia, aumentar la densidad de potencia y reducir los costes de refrigeración. La selección de dispositivos de potencia de SiC de gran resistencia, cuya construcción tiene ofrece la fiabilidad de una infraestructura, es fundamental en el diseño de sistemas de infraestructura energética duraderos y resistentes. Los productos de onsemi pueden acortar los tiempos de desarrollo, superar las normas de densidad de potencia y reducir las pérdidas de potencia.

Entre las aplicaciones típicas de los dispositivos EliteSiC de onsemi, ahora disponibles en Farnell, se encuentran SAI, convertidores CC/CC, inversores elevadores, inversores solares, estaciones de carga de vehículos eléctricos y sistemas de alimentación industriales. Estos dispositivos no contienen plomo ni haluros y son conformes a RoHS.

Entre los productos de onsemi que ahora están disponibles en Farnell se encuentran:

EliteSiC de potencia de un solo canal N con características como RDS(on)= 80 m típ., carga de puerta ultra baja (típ. QG(tot) = 56 nC), baja capacidad efectiva de salida (típ. Coss = 79 pF), TJ = 175°C y 100% prueba de avalancha

EliteSiC MOSFET NXH006P120MNF2 un módulo de potencia que contiene un MOSFET de SiC de medio puente de 6 mohm / 1200 V y un termistor en encapsulado F2. Entre las opciones se encuentran el suministro con o sin material de interfaz térmica (TIM) preaplicado y patillas soldables o a presión.
Adrian Cotterill, Global Product Segment Lead, Discrete Transistors & WBG de Farnell, comenta: "Se trata de una incorporación clave a la cartera de Farnell que garantizará el desarrollo de infraestructuras energéticas usando componentes de más categoría y la mejor calidad por los que onsemi es reconocida. Estos nuevos productos de SiC, altamente optimizados, cumplen los requisitos más recientes de rendimiento de las aplicaciones finales de las infraestructuras energéticas”.

Onsemi impulsa la innovación disruptiva para ayudar a construir un mejor futuro. La compañía, que se centra en los mercados finales industrial y de automoción, acelera los cambios en megatendencias dentro de ámbitos como seguridad y electrificación de vehículos, redes energéticas sostenibles, automatización industrial e infraestructura de nube y 5G. Con su cartera de productos innovadora y bien diferenciada, onsemi crea tecnologías de detección y potencia inteligentes para resolver los retos más complejos del mundo y lidera la creación de un mundo más seguro, limpio e inteligente.

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