Revista Electrónica Profesional Impresa hace más de 25 años.

Información para Empresas y Electrónicos

Otros Semiconduct

Melexis presenta un dispositivo transceptor LIN con regulador de tensión integrado y respuesta ante EMC/ESD

Inicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivado
 

El bus LIN (local interconnect network) continúa experimentando una adopción generalizada en el mundo de la automoción. Este sistema de comunicación robusto y económico permite implementar numerosas funciones básicas de red en subsistemas que con anterioridad no se consideraban aceptables desde un punto de vista económico para los accionamientos y controles inteligentes.

El nuevo MLX80050 de Melexis, que se suministra en un encapsulado compacto SOIC8, responde a esta necesidad cada vez más creciente. Se trata del primer miembro perteneciente a la próxima generación de CI de la compañía que permite un desarrollo sencillo y efectivo de esclavos LIN. El CI combina un transceptor LIN de capa física (según LIN 2.x y SAEJ2602) y un regulador de tensión de 5V que cuenta con una salida RESET para el microcontrolador del sistema. Sus patillas son compatibles con dispositivos LIN ya existentes como el ATA6620/25/31 y el TJA1028.
 
Este transceptor, producido mediante una tecnología de proceso HV-CMOS de
0,35 micras, está optimizado para un consumo mínimo de corriente (solo 15µA en modo de espera). La gestión del modo de espera integrada asegura que se pueda reactivar o ‘despertar’ desde el propio bus LIN o directamente desde un microcontrolador conectado u otra fuente externa. Al generar una señal de salida RESET puede minimizar la circuitería externa que necesita el microcontrolador.
 
El MLX80050 también puede cumplir los mayores requisitos en cuanto a compatibilidad electromagnética (EMC) de los sistemas de bus de un solo hilo, así como los “Requisitos de hardware para interfaces LIN, CAN y Flexray en aplicaciones de automoción” definidos por los fabricantes alemanes de coches. Para la autoprotección el CI incorpora limitación de corriente de carga integrada y apagado por sobretemperatura, así como protección por volcado de carga de 40V. Además alcanza una robustez electrostática (ESD) superior a 20kV con descarga directa y superior a 15KV con descarga indirecta (según IEC61000-4-2).
 
El MLX80050 tiene las homologaciones AECQ100 y RoHS.

Más información o presupuesto

Articulos Electrónica Relacionados

Redes Sociales

Edicion Revista Impresa

1ww   

Para recibir la edición impresa o en PDF durante 1 año (10 ediciones)

Suscripción papel: 180,00.- €  (IVA inc.)

Suscripción PDF: 60,00.- € (IVA inc)

Noticias Populares Electrónica

Fotorrelés para aplicaciones de prueba de semiconductores

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado un nuevo fotorrelé capaz de funcionar con un accionamiento de baja tensión. Esto, junto con...

SoC Renesas DA14592 BLE 5.2 para conectividad inalámbrica

Mouser ya tiene en stock el sistema en chip (SoC, por sus siglas en inglés) DA14592 Bluetooth® Low-Energy (BLE) 5.2 con flash integrado de Renesas...

Cerraduras inteligentes Matter sobre Thread nativas

Silicon Labs ha anunciado hoy que sus soluciones han sido seleccionadas para las primeras cerraduras inteligentes Matter sobre Thread nativas en el...

Acelerador de IA para modelos ligeros de IA y tecnología de procesador embebido para permitir el procesamiento en tiempo real

Renesas Electronics Corporation ha anunciado el desarrollo de tecnología de procesador embebido que permite mayores velocidades y menor consumo de...

Noticias Electrónica Profesional

Noticias Fuentes de Alimentación

MOSFET de potencia de canal N de 40 V en encapsulados L-TO

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado dos nuevos MOSFET de potencia de canal N de 40...

MOSFET diminuto de canal N de drenaje común de Toshiba

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado un MOSFET de canal N de drenaje común de 12 V...

6ª Generación de procesadores Intel® Core™

Basada en la nueva microarquitectura Skylake, desarrollada con la tecnología de fabricación de Intel...

Actualidad Electrónica Profesionales

MOSFET de potencia de canal N de 40 V en encapsulados L-TO

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado dos nuevos MOSFET de potencia de canal N de 40...

MOSFET diminuto de canal N de drenaje común de Toshiba

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado un MOSFET de canal N de drenaje común de 12 V...

6ª Generación de procesadores Intel® Core™

Basada en la nueva microarquitectura Skylake, desarrollada con la tecnología de fabricación de Intel...

Convertronic

Revista © Convertronic Electrónica Profesional Española.Todos los derechos reservados GM2 Publicaciones Técnicas, S.L.
Tel.: +34 91 706 56 69
Poema Sinfónico, 27. Esc B. Planta 1 Pta 5
28054 (Madrid - SPAIN)
e-mail: gm2@gm2publicacionestecnicas.com ó consultas@convertronic.net

Suscríbete a nuestro boletín de noticias

Revista Española de electrónica. Impresa desde hace más de 25 años.

España - Madrid - Todos los derechos reservados Revista © Convertronic Electrónica Profesional Española
TIC FREAK COMPANY OnServices Sistemas

Search