MOSFET de potencia de canal N super junction de 600 V con RDS(ON) ultrabaja
Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha presentado una nueva serie de MOSFET de potencia de canal N. El primer producto de la serie DTMOSVI de 600 V es el TK055U60Z1, que se basa en el proceso de última generación de Toshiba con una estructura super junction.
El nuevo MOSFET presenta una RDS(ON) de sólo 55mΩ, lo que supone una mejora del 13% con respecto a dispositivos similares de la serie DTMOSIV-H establecida de la empresa.
Además, la RDS(ON) x QGD, que es la cifra de mérito para el rendimiento del MOSFET, mejora en aproximadamente un 52%. Entre las aplicaciones a las que va dirigido se encuentran las fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia en centros de datos, los acondicionadores de potencia para generadores fotovoltaicos y los sistemas de alimentación ininterrumpida.
El nuevo producto emplea el popular encapsulado TOLL, que presenta una conexión Kelvin para el terminal de la fuente de señal. Como resultado, la inductancia del cable fuente tiene menos impacto, reduciendo la oscilación de conmutación, lo que mejora el rendimiento de conmutación cuando el MOSFET funciona a altas velocidades de puerta. El conformado de patillas aplicado garantiza unas conexiones soldadas adecuadas, aumenta la fiabilidad del montaje y facilita la inspección visual.
La temperatura máxima del canal (Tch) del nuevo producto es de 150°C. La RDS(ON) de 47mΩ se especifica a una tensión puerta-fuente de 10V.
La carga total típica de puerta (Qg), la carga de drenaje de puerta (Qgd) y la capacitancia de entrada (Ciss) son 65nC, 15nC y 3680pF, respectivamente. Estos factores permitirán al nuevo dispositivo conmutar a las velocidades más rápidas posibles.
Toshiba continuará ampliando su gama de productos de la serie DTMOSVI de 600 V, y los ya lanzados de la serie DTMOSVI de 650 V, para contribuir al ahorro de energía reduciendo la pérdida de potencia en las fuentes de alimentación conmutadas.
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