Nexperia ha anunciado el lanzamiento de nuevos modelos electrotérmicos mejorados para sus dispositivos MOSFET. Los fabricantes de semiconductores suelen proporcionar modelos de simulación para sus MOSFET, pero estos suelen incluir solo un número limitado de parámetros del dispositivo que se han modelado a temperaturas de funcionamiento típicas.

Los nuevos modelos avanzados de Nexperia capturan la interdependencia térmica del conjunto completo de parámetros del dispositivo en todo el rango de temperaturas de funcionamiento, desde -55 °C hasta 175 °C.
 
La precisión general se ve reforzada por la inclusión del tiempo de recuperación del diodo inverso y el rendimiento de la compatibilidad electromagnética (EMC) del dispositivo en estos avanzados modelos. Esto permite a los ingenieros crear simulaciones precisas a nivel de circuito y sistema y evaluar el rendimiento eléctrico, térmico y de EMC antes de comprometerse a construir un prototipo. Estos modelos también ayudan a ahorrar tiempo y recursos, ya que los ingenieros, que antes tenían que asegurarse de que sus diseños podían funcionar en las (poco probables) peores condiciones, ahora pueden simular sus diseños en rangos de temperatura específicos.
 
Nexperia ha desarrollado estos modelos en estrecha colaboración con un OEM de primer nivel cuyos requisitos no podían ser satisfechos por ningún otro disponible actualmente. Según Andy Berry, ingeniero de aplicaciones de Nexperia, "estos nuevos y avanzados modelos electrotérmicos pretenden ofrecer a los diseñadores el máximo grado de confianza en los resultados de sus simulaciones de circuitos". "Su nivel de precisión sin precedentes se pone de manifiesto en la exactitud con la que los modelos predicen el comportamiento real del dispositivo durante las pruebas de doble pulso. Los primeros comentarios de nuestro socio colaborador indican que estos modelos son los más exactos que han visto nunca".

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