ROHM y STMicroelectronics han anunciado hoy la firma de un acuerdo multianual de suministro de obleas de carburo de silicio (SiC) con SiCrystal, una empresa del grupo ROHM que tiene una cuota importante del mercado de obleas de SiC en Europa. El acuerdo regula el suministro de más de 120 millones de dólares de obleas avanzadas de carburo de silicio de 150 mm a STMicroelectronics durante este período de aumento de la demanda de dispositivos de potencia de carburo de silicio.

«Este acuerdo adicional de larga duración de suministro de sustrato de SiC se suma a la capacidad externa que ya hemos afianzado y a la capacidad interna que estamos incrementando. Esto permitirá a ST aumentar el volumen y el balance de las obleas que necesitaremos para satisfacer la creciente demanda de los clientes para programas automotrices e industriales en los próximos años», ha declarado Jean-Marc Chery, presidente y CEO de STMicroelectronics.

«SiCrystal es una empresa del grupo ROHM, una empresa líder en el sector del SiC, y viene fabricando obleas de SiC desde hace muchos años. Estamos muy contentos de firmar este acuerdo de suministro con ST, un cliente nuestro desde hace muchos años. Continuaremos apoyando a nuestro socio para expandir el negocio del carburo de silicio aumentando continuamente las cantidades de obleas y proporcionando una calidad fiable en todo momento», afirma el Dr. Robert Eckstein, presidente y CEO de SiCrystal, una empresa del grupo ROHM.

La adopción de soluciones de potencia con SiCs se está acelerando tanto en el mercado de la automoción como en el industrial. Con este acuerdo, las dos empresas contribuirán a la difusión del uso del SiC en estos mercados.

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