Infineon Technologies AG lanza una nueva tecnología de encapsulado que proporciona capacidad de alta corriente y alta eficiencia para las exigentes aplicaciones de electrónica en automoción, incluyendo los vehículos eléctricos e híbridos. El nuevo encapsulado TO es compatible con el estándar JEDEC H-PSOF (Heatsink Plastic Small Outline Flat lead).

Los primeros productos disponibles utilizando la tecnología de encapsulado H-PSOF son los transistores de potencia T2 de 40V  OptiMOS™ que ofrecen hasta 300A de capacidad de corriente, además de valores RDS(on) de sólo 0,76 mW.
Los componentes de mayor rendimiento de electrónica de potencia, ayudan a los diseñadores de sistemas de automóviles a cumplir con las regulaciones gubernamentales que ordenan los más altos estándares de eficiencia energética del automóvil, mientras que exigen reducir las emisiones globales. Para cumplir con estos estándares, los MOSFET de potencia con una capacidad de corriente por encima de 200 A y RDS(on) inferior a 1 mW son necesarios para reducir las pérdidas de conducción y mejorar la eficiencia en general. Hasta ahora, los MOSFETs para satisfacer estas necesidades no estaban disponibles en el mercado automotriz.

Con la introducción del encapsulado H-PSOF, Infineon define un nuevo hito al proporcionar MOSFETs de potencia de 40 V hasta 300 A de capacidad de corriente y RDS(on) de 0,76 mW. Además, las dimensiones medias y la altura del encapsulado H-PSOF se redujeron en comparación con un encapsulado estándar de D2PAK (A-263) que se utiliza habitualmente en este tipo de aplicaciones. El tamaño del encapsulado H-PSOF es aproximadamente un 20% más pequeño y su altura es casi la mitad del D2PAK.

El encapsulado H-PSOF permitirá a los fabricantes de electrónica automotriz servir mejor el mercado para aplicaciones de alta corriente. Esto incluye aplicaciones como la gestión de baterías para vehículos híbridos, así como EPS, alternadores activos y otras aplicaciones de fuerte carga que permiten una mayor eficiencia y menores emisiones.

El encapsulado H-PSOF también ofrece ventajas de montaje y fabricación. Su diseño especial asegura un buen mojado de la soldadura, asegurando la fiabilidad de la misma. Además  es posible la inspección óptica automática (AOI), que suele ser parte de una línea de producción de SMT.
El primer producto disponible usando el encapsulado H-PSOF es el IPLU300N04S4-R7, un miembro de la familia de transistores de potencia para automóvil de 40 V OptiMOS T2 de Infineon, que es el punto de referencia para las aplicaciones en eficiencia energética, reducción de CO2, y los accionamientos eléctricos. Los dispositivos de potencia en el encapsulado H-PSOF están calificados de acuerdo con las normas AEC-Q101.

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