MOSFET de baja resistencia en encendido 100V y potencia de canal N para aplicaciones automotrices.

Toshiba Corporation ha lanzado el MOSFET de baja resistencia en encendido 100V y baja pérdida de energía que utiliza el último proceso MOS como última incorporación a su gama de aplicaciones automotrices.

El nuevo producto, "TK55S10N1", consigue una baja resistencia en encendido con un combinación de un chip en la "serie U-MOS VIII-H " fabricado con la última octava generación de proceso trench MOS y un paquete "DPAK+" que utiliza conectores de cobre. El producto está especialmente adaptado para aplicaciones automotrices, sobre todo para aquellas que exigen conmutación de alta velocidad, como reguladores de conmutación. Ya están disponibles las muestras y la producción en masa está prevista para comenzar en abril de 2013.

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