Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) presenta un módulo MOSFET compacto, el nuevo MG800FXF2YMS3 que incorpora dispositivos MOSFET de carburo de silicio (SiC) de doble canal y 3300V capaces de soportar corrientes de 800A.

Entre las principales aplicaciones de estos módulos de alta densidad de potencia se encuentran accionamientos industriales y equipos para control de motores, inversores de corriente destinados a plantas generadoras de energía renovable y convertidores/inversores necesarios para la infraestructura ferroviaria eléctrica.
 
Un elemento fundamental para obtener los parámetros de rendimiento de los nuevos módulos MOSFET de SiC de Toshiba es la tecnología de encapsulado de la propia compañía. Los encapsulados iXPLV (intelligent flexible package low voltage) empleados en estos módulos se basan en una avanzada tecnología de conexión interna sinterizada de plata que permite lograr elevados grados de eficiencia operativa. Admite temperaturas del canal de hasta 175°C y garantiza un aislamiento de hasta 6000VRMS. Las pérdidas en conmutación al pasar a conducción y a corte se mantienen en 250mJ y 240mJ, respectivamente, mientras que el valor típico de la inductancia parásita es de solo 12nH.

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