IGBT integrados de conmutación a alta velocidad para calentamiento por inducción
Toshiba Electronics Europe (TEE) anuncia dos nuevas incorporaciones a su familia de IGBT compactos e integrados para calentamiento por inducción y otras aplicaciones actuales de conmutación de inversor de resonancia. Al igual que con los modelos anteriores, el GT50JR21 y el GTJR22 de 600 V, 50 A combinan un IGBT y un diodo de rueda libre inverso en un dispositivo único y monolítico. 
Ideales para su uso en cocinas, los nuevos dispositivos se suministran en un encapsulado TO-3 (N), equivalente a TO247 y ofrecer una temperatura de unión máxima de 175 ºC. Para ambos dispositivos la corriente máxima nominal es de 50 A. La tensión de saturación típica (a Ic de 50 A) es de 1,5 V para el GT50JR21 y 1,65 V para el GT50JR22.
Los IGBT GT50JR21 y GT50JR22 de Toshiba se basan en la tecnología de semiconductor mejorada de la compañía y están optimizados para conmutación de muy alta velocidad. A su vez, el tiempo de encendido (ton) típico y el tiempo de apagado (toff) con corriente de colector de 50A son 0,26 ms y 0,31ms , y 0,25 ms y 0,37 ms respectivamente para cada dispositivo. En consecuencia, el GT50JR21 es adecuado para la conmutación de baja frecuencia y el GT50JR22 lo es para conmutación de frecuencia más alta.
La disipación de potencia de colecor para cada IGBT es 230W a 25ºC.
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