Toshiba Electronics Europe ha lanzado una nueva generación de arrays de transistores altamente eficientes basados ​​en la tecnología de doble MOSFET difuso (DMOS FET).

La nueva serie TBD62xxxA es la sucesora de la serie de arrays transistores bipolares TD62xxxA de la compañía, que han encontrado un amplio uso en aplicaciones que incluyen motores, relés y controladores LED. Las nuevas series TBD62xxxA son conpatibles en función y pines con la serie TD62xxxA.
La adopción de controlador de salida tipo DMOS FET para los nuevos productos garantiza que los dispositivos satisfacen las necesidades de alta eficiencia y la reducción de la pérdida de potencia ya que los DMOS FET no requieren una corriente base. La resistencia en activo se mantiene baja y el bloqueo de salida puede aceptar altas tensiones y corrientes, con una calificación máxima absoluta de 50V / 0,5A.
Este enfoque permite a la serie TBD62xxxA cortar la pérdida de potencia en un 40% en comparación con la serie anterior de arrays transistores bipolares TD62xxxA (Ta = 25°C y IOUT = 200mA).
Toshiba ha utilizado la tecnología BICD en la creación de la nueva serie, ya que permite la integración de dispositivos bipolares, CMOS y DMOS. La serie de nueva generación consta de 24 productos que cumplen con varias tensiones estándar VIN (ON).
La serie TBD62003A dispone de min. 14V VIN (ON) para sopoartar señales de entrada PMOS de 14V a 25V. La serie TBD62503A ofrece min. 2,5V  VIN (ON) soportando la lógica transistor-transistor (TTL) y las señales de entrada CMOS de 3V / 5V. La serie TBD62004A ofrece min. 7,0V VIN (ON) para PMOS 6V a 15V y señales de entrada CMOS de 5V.

Los dispositivos estarán disponibles en encapsulados que se adaptan a varias necesidades, incluyendo DIP. SOP / SOL para montaje en superficie y pequeña SSOP (0,65 mm de paso) para ahorrar espacio. La producción en masa para la línea completa está programada para comenzar en el segundo semestre de 2015.

Más información o presupuesto