Nexperia ha anunciado el lanzamiento de 16 nuevos MOSFETs de potencia de 80 V y 100 V en el innovador encapsulado CCPAK1212 con clip de cobre, que ofrecen una densidad de potencia y un rendimiento absoluto líderes en la industria. El innovador diseño de clip de cobre proporciona una alta conducción de corriente, una inductancia parásita reducida y un excelente rendimiento térmico.

Estas características hacen que los dispositivos sean ideales para el control de motores, fuentes de alimentación, sistemas de energías renovables y otras aplicaciones de alto consumo. La gama también incluye MOSFET de aplicación específica (ASFET) diseñados para funciones de intercambio en caliente de servidores de IA. Con opciones de refrigeración superior e inferior, estos MOSFET de CCPAK proporcionan alta densidad de potencia y soluciones fiables. Todos los dispositivos están respaldados por el registro JEDEC y las hojas de datos interactivas de Nexperia para una integración perfecta.

El PSMN1R0-100ASF e referencia es un MOSFET de potencia de 0,99 mΩ 100 V capaz de conducir 460 A y disipar 1,55 KW de potencia, pero en un encapsulado CCPAK1212 que ocupa solo 12 mm x 12 mm de espacio en la placa. El PSMN1R0-100CSF ofrece estadísticas similares en una versión refrigerada por la parte superior.

El secreto de este impresionante rendimiento es la construcción interna de los dispositivos. La «CC» de CCPAK1212 significa clip de cobre, lo que significa que el chip de silicio del MOSFET de potencia está intercalado entre dos piezas de cobre, la lengüeta de drenaje en un lado y el clip de fuente en el otro. Al eliminar por completo las uniones de cables, este ensamblaje optimizado ofrece una baja resistencia a la conexión, inductancias parásitas reducidas, altas intensidades máximas y un excelente rendimiento térmico.

Los MOSFET NextPower CCPAK1212 de 80/100 V se recomiendan para aplicaciones industriales de alto consumo energético en las que son fundamentales una alta eficiencia y fiabilidad, como el control de motores de corriente continua sin escobillas (BLDC), fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), sistemas de gestión de baterías (BMS) y almacenamiento de energías renovables. La disponibilidad de estos MOSFET con capacidad de potencia en un solo encapsulado reduce la necesidad de paralelismo, simplificando los diseños y ofreciendo soluciones más compactas y rentables.

El anuncio de Nexperia CCPAK1212 también incluye algunos nuevos MOSFET de aplicación específica (ASFET) dirigidos a la función hot-swap (intercambio en caliente) en servidores de IA cada vez más potentes. Estos dispositivos presentan un área de funcionamiento seguro (SOA) mejorada, que proporciona una estabilidad térmica superior durante las transiciones de modo lineal.

En todas estas aplicaciones, la disponibilidad de opciones de refrigeración por la parte superior e inferior ofrece a los ingenieros una selección de técnicas de extracción térmica, especialmente útiles cuando disipar el calor a través de la placa de circuito impreso no resulta práctico debido a la sensibilidad de otros componentes.

«A pesar de ofrecer un rendimiento líder en el mercado, sabemos que algunos clientes se mostrarán reticentes a la hora de diseñar un encapsulado relativamente nuevo», declaró Chris Boyce, director general del Grupo de Productos de Nexperia. «Por este motivo, hemos registrado el CCPAK1212 en la organización de normalización JEDEC (referencia MO-359). Seguimos un enfoque similar cuando introdujimos el primer encapsulado MOSFET LFPAK hace algunos años y, como resultado, ahora hay muchos dispositivos compatibles disponibles en el mercado. Nunca se está solo mucho tiempo cuando las innovaciones ofrecen un valor real a los clientes», concluye Boyce.

Todos los nuevos dispositivos MOSFET CCPAK1212 están respaldados por una gama de avanzadas herramientas de diseño, que incluyen modelos de simulación con compensación térmica. Las tradicionales hojas de datos en PDF se complementan con las hojas de datos interactivas de Nexperia, de fácil manejo, que ahora incorporan una nueva función «graph-to-csv» que permite a los ingenieros descargar, analizar e interpretar los datos que hay detrás de las características clave de cada dispositivo. Esto no sólo agiliza el proceso de diseño, sino que aumenta la confianza en las decisiones de diseño.

Nexperia tiene previsto ampliar el encapsulado CCPAK1212 a los MOSFET de potencia en todos los rangos de tensión y también a sus carteras de productos AEC-Q101 cualificados para automoción, respondiendo así a las demandas cambiantes de los sistemas de próxima generación con los requisitos más exigentes de corriente y rendimiento térmico.

Más información