MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.  y STMicroelectronics han anunciado  la ampliación la capacidad de producción GaN-en-Silicio de 150 mm en 2019 en las fábricas de ST y 200 mm según lo requiera la demanda.

La ampliación está diseñada para dar servicio al despliegue mundial de telecomunicaciones 5G. Esto se basa en el amplio acuerdo de GaN-en-Silicio entre MACOM y ST anunciado a principios de 2018.

 Se espera que la implementación global de las redes 5G y las configuraciones de antena Massive MIMO (M-MIMO) creen un aumento sustancial en la demanda de productos de potencia RF. Específicamente, MACOM estima que habrá un aumento de 32X a 64X en el número de amplificadores de potencia requeridos. A su vez, se espera que esto supere el contenido de más de tres dólares en el transcurso de un ciclo de 5 años de inversión en infraestructura 5G y, por lo tanto, genere una disminución estimada de 10X a 20X en el coste por amplificador.

"Los principales OEM de estaciones base entienden que necesitan un amplio rendimiento de GaN de banda ancha con estructuras de costes de transformación y capacidad de fabricación para cumplir con los objetivos de coste, alcance y eficiencia energética de la antena 5G en campo. Al asociarnos con ST, creemos que MACOM está en una posición única para proporcionarlo todo: rendimiento, coste y cadena de suministro de alto volumen ", afirma John Croteau, Presidente y CEO de MACOM. "Anticipamos que nuestra inversión conjunta en esta etapa temprana para aumentar la capacidad nos posiciona para brindar servicios hasta el 85% de la red global de redes 5G".

"ST ha establecido una base sólida como líder mundial en carburo de silicio y ahora estamos avanzando con RF GaN-en-Silicio, que permitirá a los fabricantes de equipos originales construir una nueva generación de redes 5G de alto rendimiento", comenta Marco Monti, presidente del Grupo de Productos para Automoción y Discretos en STMicroelectronics. “Si bien el carburo de silicio es ideal para ciertas aplicaciones de energía, como la conversión de energía en automoción, GaN-en-Silicio proporciona el rendimiento de RF, la escala y las estructuras de costes comerciales necesarios para hacer de 5G una realidad. Con este movimiento, ST y MACOM tienen como objetivo desbloquear el cuello de botella de la industria y satisfacer la demanda de las mejoras de 5G ".