Alliance Memory presenta la nueva DRAM síncrona (SDRAM) con CMOS de alta velocidad con una baja densidad de 16 Mb en encapsulado plástico de 50-pin, 400-mil TSOP II. El AS4C1M16S ofrece un rápido tiempo de acceso reloj de 5,4 ns en un ciclo de reloj de 7 ns, y una rápida tasa de velocidad de reloj de 143 MHz.

El dispositivo presentado hoy está optimizado para uso en aplicaciones del sector médico, industrial, automotriz y de telecomunicaciones que necesitan ancho de banda de gran memoria, y es especialmente adecuado para aplicaciones PC de alto rendimiento. Configurado internamente con bancos duales de 512 K x 16 bits con una interfaz síncrona, la SDRAM funciona a con una alimentación de sólo 3.3 V (± 0,3 V), y está libre de plomo (Pb) y de halógenos.

El AS4C1M16S ofrece lectura programable o longitudes de ráfaga de escritura de 1, 2, 4, 8, o de página completa, con una opción de terminación en ráfaga. Una función de auto pre-carga proporciona una fila auto-temporizada de pre-carga iniciada al final de la secuencia de ráfaga. Las fáciles funciones de actualización incluyen auto-actualización, mientras que un registro de modo programable permite que el sistema pueda elegir los medios más adecuados para maximizar el rendimiento.

Los circuitos integrados descatalogados de Alliance Memory proporcionan recambios fiables tipo drop-in, compatibles pin-a-pin para un número de soluciones similares. El AS4C1M16S es el último en la completa línea de SDRAM de alta velocidad de la compañía, que ahora incluye dispositivos con densidades de 16 Mb, 64 Mb, 128 Mb y 256 Mb.

Ya están disponibles las muestras y cantidades de producción de los AS4C1M16S, con tiempos de entrega de seis semanas para grandes pedidos. Los precios van desde 0,60 $ a 0,70 $ por unidad.

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