KIOXIA Europe GmbH ha anunciado el muestreo de su última generación de dispositivos de memoria flash integrada de almacenamiento flash universal (UFS por sus siglas en inglés) de 256 y 512 gigabytes (GB), versión 3.1. Alojados en paquetes de 0,8 y 1,0 mm de altura, los nuevos productos mejoran el rendimiento en un 30 % para la lectura aleatoria y un 40 % para la escritura aleatoria ^[1]

– haciéndolos así más finos ^[2] y rápidos que sus predecesores. Los nuevos dispositivos KIOXIA UFS utilizan la memoria flash de quinta generación de alto rendimiento más actual de la empresa, la BiCS FLASH™ 3D, y están dirigidos a una gran variedad de aplicaciones móviles.

La amplia serie de aplicaciones capaces de gestionar la energía y el espacio de forma inteligente con memoria flash integrada siguen necesitando mayores rendimiento y densidad, y el UFS han acabado por convertirse en la solución preferida. Desde la perspectiva puramente de gigabytes, el UFS reciben ahora la mayor parte de la demanda de eMMC. Según Forward Insights, al combinar el UFS total y la demanda de gigabytes de eMMC mundial, casi el 70 % de la demanda de este año corresponde al UFS, y está previsto que dicho porcentaje siga aumentando^[3].

«Con la nueva versión 3.1 UFS, nuestro continuo liderazgo en la estandarización de JEDEC ha vuelto a llevarnos a superar los límites de rendimiento y factores formales en el sector de las memorias integradas no volátiles», afirma Axel Stoermann, vicepresidente de Memory Marketing & Engineering de KINOXIA Europe GmbH. «Revisar y seguir desarrollando la tecnología de la memoria flash BiCS FLASH 3D de KINOXIA no solo aporta una nueva gama de productos de velocidad de lectura y escritura aleatorias en paquetes de formatos extremadamente finos, sino que los nuevos dispositivos tienen el potencial de convertirse en la solución preferida para un amplio abanico de aplicaciones industriales exigentes».

Los nuevos dispositivos UFS de 256 GB y 512 GB incluyen las siguientes mejoras:
• Aumento del rendimiento del 30 % para lectura aleatoria y del 40 % para escritura aleatoria.
• Host Performance Booster (HPB), versión 2.0: mejora el rendimiento de lectura aleatoria usando la memoria en el lado del host para almacenar tablas de traducción de direcciones lógicas a físicas. Mientras que la versión 1.0 de HPB solo habilita el acceso a fragmentos de 4 KB, la versión 2.0 de HPB ofrece un acceso mucho mayor, lo que puede mejorar todavía más el rendimiento de lectura aleatoria.
• Un paquete más delgado de 256 GB con una altura de solo 0,8 mm

Más información o presupuesto

[1] Comparado con la generación anterior de 256/512 GB UFS de KIOXIA.
[2] En el caso de una densidad de 256 GB en comparación con la generación anterior de UFS de 256 GB de KIOXIA.
[3] Fuente: Forward Insights, segundo trimestre de 2021

El almacenamiento flash universal (UFS) es la categoría de una clase de productos de memoria integrada desarrollados de acuerdo con la especificación estándar de UFS de JEDEC.

La velocidad de lectura y escritura puede variar según el dispositivo host, las condiciones de lectura y escritura y el tamaño del archivo.

En cada mención de un producto KIOXIA: la densidad del producto se identifica en función de la densidad de los chips de memoria dentro del producto, no de la cantidad de capacidad de memoria disponible para el almacenamiento de datos por parte del usuario final. La capacidad utilizable por el consumidor será menor debido a las áreas de datos generales, el formato, los bloques defectuosos y otras restricciones, y también podrá variar según el dispositivo host y la aplicación. Para más información, consulte las especificaciones del producto correspondiente. La definición de 1 KB = 2^10 bytes = 1024 bytes. Definición de 1 Gb = 2^30 bits = 1 073 741 824 bits. Definición de 1 GB = 2^30 bytes = 1 073 741 824 bytes. 1 Tb = 2^40 bits = 1 099 511 627 776 bits.