Revista Electrónica Profesional Impresa hace más de 25 años.

Información para Empresas y Electrónicos

Otros Semiconduct

Fotorrelés para aplicaciones de prueba de semiconductores

Inicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivado
 

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado un nuevo fotorrelé capaz de funcionar con un accionamiento de baja tensión. Esto, junto con un rango de temperatura de funcionamiento ampliado, es ideal para las exigentes aplicaciones de prueba de semiconductores. Los comprobadores de semiconductores verifican que el dispositivo bajo prueba (DUT) cumple las especificaciones aplicando una tensión/corriente a los pines correspondientes.

Como los relés tradicionales no son adecuados, es habitual utilizar fotorrelés debido a su funcionamiento en estado sólido y su tamaño compacto. Normalmente, se utiliza una FPGA para el control pero, como éstas funcionan cada vez más a 1,8 V, la compatibilidad puede ser un problema.

El nuevo TLP3412SRLA ofrece la tensión de funcionamiento del fotorreceptor (VFON) más baja de la historia de Toshiba, de sólo 1,6 V, lo que lo hace adecuado para su uso con FPGA de 1,8 V de baja tensión. Incorpora una resistencia en el lado primario (LED), lo que permite un funcionamiento controlado por tensión sin necesidad de resistencias externas.

Es habitual probar semiconductores a temperaturas elevadas y, con los fotorrelés colocados en la tarjeta de sonda cerca del DUT, será necesario que funcionen a temperaturas ambiente elevadas. El nuevo dispositivo tiene una temperatura máxima de funcionamiento de 125 °C, lo que garantiza un margen de temperatura adecuado dentro del equipo.

Con la necesidad de altos niveles de rendimiento en los ensayos de semiconductores, a menudo se prueban múltiples DUT en paralelo, lo que requiere diseños de tarjetas de sonda muy densos. El TLP3412SRLA se aloja en el pequeño encapsulado original S-VSON4T de Toshiba, que mide sólo 1,45 mm × 2,0 mm × 1,4 mm.

El nuevo fotorrelé está configurado para un tipo de contacto 1-Form-A (NO) y tiene una corriente de estado activado (ION) de 400 mA de forma continua, o 1200 mA pulsado (tON/tOFF La resistencia de estado activado es típicamente de 1,0Ω y los tiempos de conmutación (tON/tOFF) son inferiores a 350μs / 150μs respectivamente. La tensión de aislamiento (BVs) es de al menos 500Vrms.

Además de ser ideal para la prueba de semiconductores, el TLP3412SRLA también es adecuado para una amplia variedad de aplicaciones industriales exigentes, incluidos los controladores lógicos programables (PLC).

Más información

Articulos Electrónica Relacionados

Redes Sociales

Edicion Revista Impresa

1ww   

Para recibir la edición impresa o en PDF durante 1 año (10 ediciones)

Suscripción papel: 180,00.- €  (IVA inc.)

Suscripción PDF: 60,00.- € (IVA inc)

Noticias Populares Electrónica

Plataforma analógica y de señal mixta TREO

onsemi ha presentado la plataforma Treo, una plataforma analógica y de señal mixta construida con tecnología de proceso Bipolar-CMOS-DMOS (BCD) en...

Puente de sensores en Ethernet para FPGA PolarFire®

Microchip Technology ha presentado su puente de sensores en Ethernet para FPGA PolarFire®, que funciona con la plataforma de procesamiento de...

Microchip amplía su catálogo de 64 bits de microprocesadores PIC64HX con seguridad poscuántica

Se prevé que el mercado mundial de la informática de borde (edge) crezca más del 30 por ciento en los cinco próximos años para desempeñar...

FPGA Microchip RTG4™ con bolas flip-chip sin plomo para aplicaciones espaciales

Las FPGA (Field-Programmable Fate Arrays) RTG4™ de Microchip Technology, tolerantes a la radiación y con bolas flip-chip sin plomo, han logrado la...

Noticias Electrónica Profesional

Noticias Fuentes de Alimentación

MOSFET de potencia de canal N de 40 V en encapsulados L-TO

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado dos nuevos MOSFET de potencia de canal N de 40...

MOSFET diminuto de canal N de drenaje común de Toshiba

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado un MOSFET de canal N de drenaje común de 12 V...

6ª Generación de procesadores Intel® Core™

Basada en la nueva microarquitectura Skylake, desarrollada con la tecnología de fabricación de Intel...

Actualidad Electrónica Profesionales

MOSFET de potencia de canal N de 40 V en encapsulados L-TO

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado dos nuevos MOSFET de potencia de canal N de 40...

MOSFET diminuto de canal N de drenaje común de Toshiba

Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado un MOSFET de canal N de drenaje común de 12 V...

6ª Generación de procesadores Intel® Core™

Basada en la nueva microarquitectura Skylake, desarrollada con la tecnología de fabricación de Intel...

Convertronic

Revista © Convertronic Electrónica Profesional Española.Todos los derechos reservados GM2 Publicaciones Técnicas, S.L.
Tel.: +34 91 706 56 69
Poema Sinfónico, 27. Esc B. Planta 1 Pta 5
28054 (Madrid - SPAIN)
e-mail: gm2@gm2publicacionestecnicas.com ó consultas@convertronic.net

Suscríbete a nuestro boletín de noticias

Revista Española de electrónica. Impresa desde hace más de 25 años.

España - Madrid - Todos los derechos reservados Revista © Convertronic Electrónica Profesional Española.

Search