Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») mostrará las sinergias de sus productos de semiconductores, baterías, almacenamiento de datos y sustratos cerámicos en electronica 2024. Ya sea como componentes individuales o trabajando juntos como parte de un sistema, los ingenieros pueden mejorar el rendimiento y la sostenibilidad de sus diseños en múltiples sectores.

Este año, la atención se centrará en la movilidad eléctrica, la energía e infraestructuras y las aplicaciones industriales, que constituyen la columna vertebral de la futura sociedad totalmente eléctrica.

Potenciar la movilidad eléctrica
Los semiconductores de potencia, los materiales y las soluciones de baterías de Toshiba están diseñados para ofrecer una flexibilidad y eficiencia inigualables en la movilidad eléctrica. Las soluciones de semiconductores de la compañía reducen la pérdida de energía y ofrecen un rendimiento excepcional, mientras que las baterías SCiB™ de alta potencia alimentan medios de transporte como camiones, autobuses y trenes. Además, los sustratos cerámicos de Toshiba aíslan eficazmente la disipación de calor de las unidades de control de potencia de los coches eléctricos e híbridos. Las soluciones de carburo de silicio (SiC) forman parte integral de los sistemas de tracción de e-mobility en automóviles y aplicaciones de alta robustez como trenes y autobuses. Su alta densidad de potencia, resistencia a la temperatura y eficiencia energética las hacen idóneas para mejorar el rendimiento general.

Uno de los productos más destacados de la feria será el SmartMCD™, un circuito integrado de control de motores mejorado con un microcontrolador y un controlador de puerta incorporados. El primer producto de la serie, el TB9M003FG, es adecuado para el control sin sensores de motores trifásicos de corriente continua sin escobillas (BLDC) utilizados en aplicaciones de automoción, como bombas de agua y aceite, ventiladores y soplantes.

Además, Volker Schumann, Vicepresidente de la División de Baterías de Toshiba, compartirá sus conocimientos sobre las ventajas de la tecnología LTO para aplicaciones pesadas (Benefits of LTO Technology for Heavy Duty Applications) en el Foro de Baterías. En esta sesión se analizará la evolución del papel de la tecnología de baterías en aplicaciones pesadas, como embarcaciones tipo ferry, autobuses, trenes y camiones de minería. Tendrá lugar en el Battery Forum, escenario electronica, pabellón 4 A, el 12 de noviembre de 13:30 a 14:00.

Energía e infraestructuras
Las tecnologías de semiconductores de Toshiba mejoran la eficiencia energética en diversas aplicaciones de energía para infraestructuras.

Las baterías SCiB™ de alta energía de la compañía están diseñadas para aplicaciones de alta capacidad, como los sistemas de almacenamiento estacionario para estabilizar el suministro eléctrico de las redes eléctricas. Toshiba también ofrece las baterías SCiB™ con celdas de tipo combinado para aplicaciones que requieren tanto carga como descarga de alta corriente para instalaciones que dependen de energía verde intermitente generada a partir de fuentes solares o eólicas. Los discos duros empresariales de alta capacidad de Toshiba forman la columna vertebral de una sociedad impulsada por los datos, apoyando las infraestructuras de energías renovables y contribuyendo a un medio ambiente más limpio.

Se ha avanzado mucho en el desarrollo de transistores de puerta de inyección mejorada (IEGT - high-power injection-enhanced gate transistors) de alta potencia para aplicaciones de transmisión de corriente continua de alta tensión (HVDC - high-voltage DC). Están diseñados para mejorar la eficacia y fiabilidad de los sistemas de transporte de energía a larga distancia, como llevar la energía generada por el viento a las zonas de demanda convirtiendo la corriente alterna generada en corriente continua. Los IEGT también son adecuados para equipos inversores de gran capacidad en subestaciones, aprovechando sus características de conexión en serie y refrigeración por ambos lados.

Los visitantes del stand descubrirán cómo Toshiba está ayudando a los ingenieros a afrontar los retos que plantea el diseño de cargadores compactos de alta potencia. Su SiC Cube es un diseño modular de referencia desarrollado en el Laboratorio de Alta Tensión de Düsseldorf. Aprovecha los MOSFET SiC de tercera generación de Toshiba, los diodos de barrera Schottky y los controladores de puerta inteligentes para ofrecer una plataforma de diseño de referencia PFC totalmente optimizada. Con un factor de forma compacto y una configuración de 3 niveles, minimiza significativamente las pérdidas de potencia.

Aplicaciones industriales avanzadas
Los diseños de referencia de aplicaciones de fuentes de alimentación, bombas de calor e inversores de motor no sólo muestran la capacidad de reducir las pérdidas mediante MOSFET de alto rendimiento en diversas clases de potencia, desde IEGT de alta potencia hasta SiC, nitruro de galio (GaN) y productos de baja tensión, sino que también ponen de relieve diversas combinaciones de toda la cartera de control y aislamiento de motores.

En el stand, un ejemplo adicional de la sinergia de los semiconductores de potencia de Toshiba, como los MOSFET y los módulos, los ASSP de control de motores y las soluciones de baterías, se exhiben en una demostración de vehículos industriales de guiado automático (AGV).

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