International Rectifier amplía su oferta de encapsulados con la introducción de un encapsulado PQFN de 2 mm x 2 mm que incorpora la tecnología más avanzada de silicio de IR para MOSFET HEXFET^® en una solución ultracompacta, eficiente y de alta densidad dirigida a una amplia variedad de aplicaciones de bajo consumo, como teléfonos móviles avanzados (smartphones), PC de tableta, grabadoras de vídeo, cámaras fotográficas digitales, PC portátiles, servidores y equipamiento para redes de comunicaciones. Los nuevos dispositivos PQFN2x2, caracterizados por su huella de sólo 4 mm², están disponibles para tensiones de 20 V, 25 V y 30 V, con control de puerto estándar o de nivel lógico, y utilizan las tecnologías de silicio de baja tensión más avanzadas de IR para canal N y canal P con el fin de ofrecer una baja resistencia en conducción (RDS(on)) y una elevada densidad de potencia en línea con un encapsulado PQFN3.3x3.3 o PQFN5x6.

La familia PQFN2x2 incluye dispositivos de canal P optimizados para su uso en el lado de alto potencial de interruptores de carga, donde ofrecen una solución de control más sencilla. Estos dispositivos, caracterizados por un bajo perfil de menos de 1 mm, son compatibles con las técnicas de montaje superficial existentes, su huella es estándar y son conformes a RoHS.

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