Toshiba Corporation ha anunciado el desarrollo de la primera memoria flash de 48 capas[1] con estructura de celda apilada de tres dimensiones[2] llamada BiCS, un dispositivo de 128 Gigabits con 2 bits por celda ( 16 gigabytes).

El envío de muestras de los productos que utilizan la nueva tecnología de proceso comienza hoy.
El BiCS se basa en un proceso puntero de apilamiento de 48 capas, lo que mejora la fiabilidad de resistencia escritura / borrado y aumenta la velocidad de escritura, y es adecuado para su uso en diversas aplicaciones, principalmente unidades de estado sólido (SSD).
Desde que hizo el primer anuncio del mundo sobre la tecnología de memoria flash 3D[3], Toshiba ha continuado el desarrollo hacia la optimización de la producción en masa. A fin de satisfacer el crecimiento del mercado en el 2016 y posterior, Toshiba está promoviendo activamente la migración a la memoria flash 3D con el despliegue de una cartera de productos que hace hincapié en las aplicaciones de gran capacidad, como los SSD.
La compañía también se está preparando para la producción masiva en las nuevas instalaciones Fab2 en Yokkaichi Operations, su planta de producción de memorias flash NAND. Fab2 está en construcción y se completará en el primer semestre de 2016, para satisfacer la creciente demanda de memoria flash.

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Notas:
[1] A partir del 26 de marzo de 2015. Encuesta Toshiba.
[2] Una estructura apilada de celdas de memoria flash en sentido  vertical desde un plano de silicio con una significativa mejora de densidad sobre la memoria flash NAND convencional, donde las celdas se disponen en una dirección plana en un plano de silicio.
[3] Presentación Toshiba, 12 de junio del 2007.