International Rectifier, IR® ha anunciado durante el salón profesional Electronica 2010, celebrado en Munich, una familia de dispositivos de 25 V y 30 V que incorporan el silicio más avanzado en MOSFET HEXFET® de IR en un encapsulado PQFN 3 x 3 que ofrece una solución de alta densidad, fiable y eficiente para convertidores CC/CC en aplicaciones de telecomunicaciones, redes de comunicaciones y ordenadores de sobremesa y portátiles de gama alta.
Como resultado de una tecnología de fabricación mejorada, el nuevo encapsulado PQFN 3 x 3 de IR permite alcanzar una corriente de carga hasta un 60% más elevada que los dispositivos estándar PQFN 3 x 3 en la nueva huella compacta, mientras que la resistencia del encapsulado en su conjunto se ve notablemente reducida para ofrecer un valor de RDS(on) extremadamente baja.  Además, el nuevo encapsulado PQFN ofrece una conductividad térmica mejorada y está homologado para el estándar industrial y el nivel 1 de sensibilidad a la humedad (MSL1).

La tecnología de encapsulado de altas prestaciones PQFN también se aplica en dispositivos con una huella de 5 x 6 mm, posibilitando de este modo diseños que necesitan más corriente sin necesidad de una huella mayor si se compara con los dispositivos estándar PQFN 5 x 6.
Esta familia incluye dispositivos optimizados para su uso como MOSFET de control caracterizados por su baja resistencia de puerta (Rg) para reducir las pérdidas en conmutación.  Para el uso de MOSFET síncronos, los dispositivos están disponibles en configuración FETKY (FET monolítico y diodo Schottky) para ofrecer mayores niveles de eficiencia y de prestaciones EMI al reducir el tiempo de recuperación inversa.
Con su bajo perfil de menos de 1 mm, estos dispositivos son compatibles con las técnicas existentes de montaje superficial, se caracterizan por una huella estándar y son conformes a RoHS.

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