Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") anuncia el lanzamiento de doce diodos de barrera Schottky (SBD) de carburo de silicio (SiC) de 650 V basados en su última tecnología de 3ª generación. Los nuevos dispositivos están diseñados específicamente para su uso en aplicaciones de equipos industriales de eficiencia crítica, como fuentes de alimentación conmutadas, estaciones de carga de vehículos eléctricos e inversores fotovoltaicos.
Renesas Electronics Corporation ha anunciado un diseño de referencia completo preparado para el espacio para el sistema en chip (SoC) adaptable AMD Versal™ XQRVC1902. Desarrollado en colaboración con AMD, el diseño de referencia ISLVERSALDEMO2Z integra componentes clave endurecidos contra la radiación para la gestión de energía, incluyendo cuatro productos nuevos y recientemente lanzados en un diseño ultracompacto.
ROHM ha añadido tres nuevos modelos, la serie R60xxRNx, a su gama PrestoMOS™ de MOSFET super-junction de 600 V. Estos dispositivos están optimizados para accionar motores pequeños en frigoríficos, ventiladores y otras aplicaciones en las que es importante suprimir el ruido.
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Ago 01, 00:23 am
Diodos de barrera Schottky SiC 650V con tensión directa de 1,2V de Toshiba
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Jul 20, 13:33 pm
Solución completa de gestión de energía para el SoC adaptable Versal de AMD preparado para el espacio
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Jul 14, 18:01 pm
MOSFET super-junction de 600 V de ROHM
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