Toshiba Electronics Europe GmbH ha anunciado un nuevo IGBT (insulated gate bipolar transistor) discreto de 1350 V para su uso en aplicaciones de electrodomésticos basadas en resonancia que utilicen calentamiento por inducción, como placas de cocina, arroceras y hornos microondas.
Nexperia ha presentado la primera familia de MOSFETs de canal P de la industria en el robusto encapsulado LFPAK56 (Power-SO8) que ahorra espacio. Calificado AEC-Q101 para aplicaciones de automoción, los nuevos dispositivos son un reemplazo ideal para los MOSFET DPAK, ya que ofrecen una reducción de la huella de más del 50% y mantienen altos niveles de rendimiento.
RC Microelectrónica presenta las series GTXO-73 y GTXO-C73 en formato miniatura SMD 7050 con estabilidad Stratum 3, en encapsulados realmente pequeños.
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May 08, 07:45 am
IGBT de 1350 V para aplicaciones en electrodomésticos
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May 07, 17:13 pm
MOSFETs de canal P en encapsulado LFPAK56 calificado AEC-Q101
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Oct 07, 17:42 pm
TCXOs SM Stratum 3 de Golledge
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