Revista Electrónica Profesional Impresa hace más de 25 años.

Información para Empresas y Electrónicos

Discretos

Módulo de memoria Gen-Z de 3.0 ”y 256 GB

Inicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivado
 

SMART Modular Technologies, Inc., una subsidiaria de SMART Global Holdings, Inc ha presentado su nuevo módulo de memoria Gen-Z de 3.0 ”y 256 GB (ZMM) en el 2019 Flash Memory Summit en Santa Clara, California.

El consorcio Gen-Z Consortium está compuesto por compañías líderes de la industria informática dedicadas a crear y comercializar una nueva tecnología de acceso a datos. Como miembro contribuyente del Consorcio Gen-Z desde 2016, SMART ha desarrollado y demostrado múltiples generaciones de soluciones de memoria y almacenamiento Gen-Z. El ZMM DDR4 de 3.0 GB de 256 GB más reciente admite semántica de acceso múltiple, acceso DRAM direccionable por byte y bloque, configuración en banda y códigos de aislamiento de clave de acceso / clave de región. El factor de forma de 3.0” sigue el factor de forma estándar de la industria y centro de datos SSD de 3” de SNIA (4C SFF-TA-1008/9).

El ZMM de 256 GB de SMART admite 30 GB / s de ancho de banda de datos con una latencia de acceso determinista de 400 ns que se ejecuta en servidores en rack Hewlett Packard Enterprise y Dell Gen-Z. El protocolo de interconexión de computación escalable Gen-Z proporciona una interfaz simplificada basada en la semántica de la memoria y está diseñado para manejar cargas de trabajo avanzadas, lo que permite la computación centrada en datos con grupos de memoria escalables y recursos para análisis en tiempo real y aplicaciones en memoria. El estándar de interconexión Gen-Z se desarrolló para permitir nuevas arquitecturas de soluciones para ofrecer altos niveles de rendimiento (alto ancho de banda, baja latencia), eficiencia de software, optimizaciones de energía y agilidad de la industria.

El ZMM DDR4 de 256 GB de SMART utiliza un controlador de memoria DRAM Gen-Z ASSP desarrollado por IntelliProp.

"SMART ha proporcionado un importante apoyo de desarrollo de vanguardia para la adopción de Gen-Z", afirma Larry Cleland, director de Ventas y Marketing de IntelliProp. "Estamos contentos de estar asociados con ellos durante estos últimos años, ya que hemos trabajado estrechamente para integrar nuestros ASSP de controladores de memoria Gen-Z en sus módulos de memoria Gen-Z".

"La dedicación de SMART al Consorcio ha sido incalculable", comenta Kurtis Bowman, presidente del Consorcio Gen-Z. “Soluciones como el módulo de memoria Gen-Z de 256GB (ZMM) representan un avance importante para el ecosistema de la industria y alientan la adopción de la tecnología Gen-Z. Esperamos futuros desarrollos de productos de SMART y otros miembros del Consorcio ".

El ZMM DDR4 de 256 GB de SMART utiliza una DRAM DDR4 de 32 Gb 3DS de 4 densidades de alta densidad proporcionada por Samsung.

Más información o presupuesto

Articulos Electrónica Relacionados

  • Memoria BiCS de 48 capas Toshiba Corporation ha anunciado el desarrollo de la primera memoria flash de 48 capas[1] con estructura de celda apilada de tres dimensiones[2] llamada BiCS, u... Discretos

Redes Sociales

Edicion Revista Impresa

1ww   

Para recibir la edición impresa o en PDF durante 1 año (10 ediciones)

Suscripción papel: 180,00.- €  (IVA inc.)

Suscripción PDF: 60,00.- € (IVA inc)

Noticias Populares Electrónica

Soluciones completas de Littelfuse disponibles a través de Farnell

Farnell se ha asociado con Littelfuse con el fin de ofrecer a los clientes un recurso integral para todos los requisitos de sus proyectos. Los...

Plataforma de automoción S32 con procesadores en tiempo real S32Z y S32E para nuevos vehículos definidos por software 


NXP Semiconductors N.V. ha anunciado dos nuevas familias de procesadores que potencian las ventajas de la innovadora plataforma de automoción S32 de...

FET de Sic de 4.ª generación de 1200 V UF4C/SC de UnitedSiC (ahora Qorvo) para aplicaciones de energía

Mouser ya tiene en stock los FET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V UF4C y UF4SC de UnitedSiC (ahora Qorvo®). Esta familia de dispositivos de...

MOSFET de Súper Unión con cuatro dispositivos adicionales de 650V

Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha añadido otros cuatro dispositivos MOSFET de potencia de 650 V superjunction (super unión) de canal N...

Noticias Electrónica Profesional

Noticias Fuentes de Alimentación

Alliance Memory lanza las nuevas Mobile CMOS DDR SDRAMs de b

Alliance Memory ha presentado hoy una nueva línea de DRAMs mobile CMOS DDR de alta velocidad (DDR...

Amplificador bidireccional de detección de corriente con re

Los diseñadores ahora pueden mejorar la eficiencia del motor y reducir la vibración utilizando el...

Amplificador inteligente DSM de Maxim

Maxim Integrated Products, Inc. presenta el amplificador inteligente MAX98390 con el algoritmo...

Actualidad Electrónica Profesionales

Alliance Memory lanza las nuevas Mobile CMOS DDR SDRAMs de b

Alliance Memory ha presentado hoy una nueva línea de DRAMs mobile CMOS DDR de alta velocidad (DDR...

Amplificador bidireccional de detección de corriente con re

Los diseñadores ahora pueden mejorar la eficiencia del motor y reducir la vibración utilizando el...

Amplificador inteligente DSM de Maxim

Maxim Integrated Products, Inc. presenta el amplificador inteligente MAX98390 con el algoritmo...

Convertronic

Revista © Convertronic Electrónica Profesional Española.Todos los derechos reservados GM2 Publicaciones Técnicas, S.L.
Tel.: +34 91 706 56 69
Poema Sinfónico, 27. Esc B. Planta 1 Pta 5
28054 (Madrid - SPAIN)
e-mail: gm2@gm2publicacionestecnicas.com ó consultas@convertronic.net

Suscríbete a nuestro boletín de noticias

Revista Española de electrónica. Impresa desde hace más de 25 años.

España - Madrid - Todos los derechos reservados Revista © Convertronic Electrónica Profesional Española
TIC FREAK COMPANY OnServices Sistemas

Search