Microsemi Corporation anuncia un dispositivo de memoria SDRAM DDR3 de 9Gb, el primero de su clase que se suministra en un único encapsulado PBGA (plastic ball grid array) en un doble módulo DIMM (dual in-line memory module) compacto en configuración x72. Esta solución permite que los diseñadores integren hasta 4GByte de memoria en sistemas más pequeños y más rápidos utilizados en aplicaciones de misión crítica.

Entre estas aplicaciones se encuentran comunicaciones seguras, sistemas de misiles, munición y otras aplicaciones propias de entornos exigentes que además exijan rangos ampliados de temperaturas.

“El encapsulado de las SDRAM DDR3 de Microsemi contribuye a potenciar nuestra oferta líder en el mercado de soluciones de memoria a medida y estándar de alta fiabilidad y con un rango ampliado de temperaturas”, declaró Jack Bogdanski, director de marketing de Microsemi. “Acumulamos más de tres décadas de experiencia en técnicas de encapsulado para aplicaciones militares y aeroespaciales. Seguiremos concentrados en suministrar a nuestros clientes soluciones de altas prestaciones y de alta fiabilidad que resuelven los problemas de espacio y de densidad”.

Los dispositivos SDRAM DDR3 de Microsemi disponibles comercialmente ofrecen a los clientes una solución de memoria autónoma de alta densidad que también cumple las necesidades de anchura de datos para sus aplicaciones. Estos dispositivos DDR3 reducen notablemente los requisitos en cuanto a espacio respecto a los sistemas basados en componentes discretos de memoria, y además ocupan menos espacio en la placa que las soluciones de memoria basadas en encapsulados CSP (chip scale packages) y otras soluciones con una sola pastilla de semiconductor. Estos dispositivos de memoria también agilizan el enrutamiento de E/S y reducen el número de componentes, todo ello con un nivel superior de integridad de la señal.

Principales características:
-    Densidad – 1GByte, 9Gbits. Ampliable hasta 4GBytes.
-    Sólo miden 20,5 mm x 21,5 mm.
-    Disponibles en un encapsulado 375 PBGA.
-    Ofrecen un ahorro de espacio del 30% y una reducción del enrutamiento de E/S del 21% respecto a las soluciones con una capacidad similar basados en componentes discretos.
-    Ofrecen soporte a velocidades de transmisión de los datos de 800, 1.066 y 1.333 Mb/s.
-    Trabajan con una sola fuente de alimentación de 1,5 V.
-    Disponibles con rangos de temperaturas comercial e industrial.

Las memorias de alta velocidad de Microsemi optimizan las prestaciones gracias a su arquitectura de búsqueda previa (prefetch) en 4 ns con un interface que permite transmitir dos palabras de datos por ciclo de reloj. Los dispositivos se pueden procesar de forma que estén a prueba de falsificaciones y se suministran en densidades de hasta 4GByte con configuraciones 2x256Mx72. La compañía tiene previsto ofrecer una opción de bajo perfil cuya huella será compatible con el actual encapsulado 375 PBGA. Todos los dispositivos están sujetos a un exhaustivo programa de pruebas de tipo medioambiental y térmico.

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