International Rectifier (IR) amplía su oferta de PQFN con un encapsulado PQFN de 2 mm x 2 mm y un PQFN de 3,3 mm x 3,3 mm. Los nuevos encapsulados integran dos MOSFET HEXFET® que utilizan la tecnología de silicio más avanzada de IR para ofrecer una solución económica y de alta densidad dirigida a aplicaciones de bajo consumo como teléfonos inteligentes, PC de tableta, videocámaras, cámaras fotográficas digitales, motores de CC y cargadores inductivos sin hilos así como PC portátiles, servidores y equipamiento para redes de comunicaciones.
Los nuevos dispositivos dobles PQFN2x2 y PQFN3.3x3.3, que incorporan un par de MOSFET de potencia en cada encapsulado, ofrecen la flexibilidad de las topologías de drenador común o de medio puente. Estos dispositivos, que utilizan las tecnologías más avanzadas de silicio de baja tensión de IR (N y P), ofrecen un nivel de pérdidas extremadamente reducido. El IRLHS6276, por ejemplo, integra dos MOSFET, cada uno de ellos con un valor típico de la resistencia en conducción (RDS(on)) de 33 mW en una superficie de tan sólo 4 mm².

Los nuevos dispositivos dobles PQFN ofrecen a los clientes una solución de alta densidad y económica para aplicaciones de conmutación y CC. Tras la incorporación de estos nuevos encapsulados, IR ofrece un amplio catálogo de PQFN de baja tensión que comprende dispositivos sencillos o dobles de canal N y P con una capacidad de control de 20 V y 30 V, 4,5 V o 2,5 V como mínimo, todos ellos con una RDS(on) extremadamente baja.
La familia de Doble PQFN incluye dispositivos de canal P optimizados para el lado de alto potencial de interruptores de carga que proporcionan una solución de control más sencilla. Los dispositivos, con un bajo perfil inferior a 1 mm, son compatibles con las técnicas existentes de montaje superficial, su huella es estándar y son conformes a RoHS.

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