Samsung Electronics Co., Ltd. ha anunciado la producción en masa de las memorias DDR3 más avanzadas, basadas en una nueva tecnología de procesos de 20 nanómetros, y que serán utilizadas en una amplia gama de aplicaciones informáticas.

Samsung ha ido un paso más allá en el escalado de DRAM, utilizando la litografía de inmersión ArE actual en sus nuevas memorias DRAM DDR3 de 4Gb y 20 nanómetros.

Con una memoria DRAM, donde cada celda cuenta con un condensador y un transistor conectados entre sí, el escalado es más difícil que con una memoria NAND Flash en la que una celda solo necesita un transistor. Para continuar escalando el DRAM más avanzado, Samsung redefine su diseño y fabricación de tecnologías y viene con un patrón doble modificado y la deposición de capas atómicas.

La tecnología modificada de doble patrón de Samsung, crea un hito al permitir la producción de DDR de 20nm utilizando equipamiento actual de litografía y estableciendo la tecnología core para la próxima generación de memorias RAM de próxima generación de 10 nanómetros. Samsung ha creado también exitosamente capacitadores de celdas dieléctricas ultrafinas con una homogeneidad sin precedentes, lo que da como resultado celdas con un mayor rendimiento.

Con la nueva DRAM DDR3 de 20nm, Samsung también ha mejorado la productividad de fabricación, que es un 30% mayor que la anterior DDR de 25 nanómetro, y más del doble que las DDR de 30 nm * .

Además, los nuevos módulos basados en DDR3 4G 20nm, pueden ahorrar hasta el 25% de energía consumida por módulos equivalente fabricados utilizando la anterior tecnología de procesos de 25 nanómetros. Esta mejora proporciona las bases para la entrega de las soluciones de Green IT más avanzadas para las compañías a nivel global.

“La nueva y eficiente DRAM DDR3 20 nm ampliará rápidamente el mercado de la industria IT incluyendo los mercados de PC y móvil,” afirma Young-Hyun Jun, Vicepresidente Ejecutivo de Marketing de Memorias en Samsung Electronics. “Samsung continuará proporcionando la siguiente generación DRAM y soluciones ecológicas al mismo tiempo que contribuirá al crecimiento del mercado global IT en cooperación cercana con nuestros mayores clientes.”  

De acuerdo con los estudios de Gartner, el mercado global de memorias DRAM crecerá desde 35 miles de millones de dólares hasta unos 38 miles de millones en 2014.

*Nota: la clase de 10nm hace referencia al nodo del proceso tecnológico que se encuentra entre los 10 y los 20 nanómetros, y la clase de 30nm se encuentra entre los 30 y los 40 nanómetros.

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