Intel Corporation y Micron Technology, Inc. han presentado la tecnología 3D XPoint™, una memoria no volátil que tiene el potencial de revolucionar cualquier dispositivo, aplicación o servicio que se beneficie de un rápido acceso a grandes conjuntos de datos.

Ya en producción, la tecnología 3D XPoint es un gran avance en la tecnología de proceso de memoria y supone la primera vez que se introduce una nueva categoría desde la llegada de las memorias flash NAND desde 1989.    

La naturaleza no volátil de la tecnología también hace que sea una gran opción para una variedad de aplicaciones de almacenamiento de baja latencia dado que los datos no se borran cuando el dispositivo está apagado.

La innovadora arquitectura de punto de cruce con menos transistores crea un diseño tridimensional en forma de damero donde las celdas de memoria se sitúan en la intersección de las líneas de palabras y las de bits, permitiendo que las células puedan ser tratadas individualmente. Como resultado, los datos pueden ser escritos y leídos en pequeñas cantidades, permitiendo un proceso de lectura y escritura más rápido y eficiente.

Entre otros detalles sobre la tecnología 3D XPoint se incluyen:
•    Estructura matriz de cruce de puntos (Cross Point Array Structure) – Conductores perpendiculares conectan 128 millones de celdas de memoria densamente empaquetadas. Cada celda de memoria almacena un bit individual de datos. Esta estructura compacta proporciona un alto rendimiento y bits de alta densidad.  
•    Apilable – Además de la apretada estructura de matriz de cruce de puntos, las celdas de memoria se apilan en múltiples capas. La tecnología inicial almacena 128Gb por dado en dos capas de memoria. Las próximas generaciones de esta tecnología pueden aumentar el número de capas de memoria, así como el tradicional escalado de tono litográfico, mejorando aún más la capacidad del sistema.
•    Selector – Se accede a las celdas de memoria, y se escribe o se lee en ellas, por medio de variaciones en la cantidad de voltaje enviado a cada selector. Esto elimina la necesidad de transistores, aumentando la capacidad a la vez que se reduce el coste.
•    Celda de rápida conmutación – Con un tamaño de celda pequeño, un selector de conmutación rápido, una matriz de puntos de cruce de baja latencia y un algoritmo de
escritura veloz, la celda es capaz de cambiar de estado más rápido que cualquier otra tecnología de memoria no volátil existente hoy en día.
 
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