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CI de corrección del factor de potencia HiperPFS-4 con eficiencia a plena carga del 98%

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Power Integrations presenta su CI controlador de corrección del factor de potencia (PFC) HiperPFS™-4 está ahora disponible con un diodo de refuerzo integrado Qspeed™ de baja carga de recuperación inversa (Qrr). Esta combinación ofrece una eficiencia a plena carga superior al 98% en aplicaciones de PC, TV y similares de entre 75 W y 400 W.

Comenta el director de marketing de productos de Power Integrations, Edward Ong: "Los diseños que utilizan los CI HiperPFS-4 muestran una eficiencia muy alta en todo el rango de carga, con un consumo de energía sin carga de tan sólo 36 mW a 230 VAC. La familia HiperPFS-4 es ideal para PC y televisores, y también para cargadores de baterías, herramientas eléctricas, fuentes de alimentación industriales e iluminación LED. Los dispositivos activos incorporados en los CI HiperPFS-4 tienen una tensión nominal de 600 V, lo que facilita el cumplimiento de las especificaciones de desclasificación del 80% que se solicitan con frecuencia".

El CI HiperPFS-4 combina el circuito de control PFC de modo de conducción continua (CCM), el diodo de refuerzo y un MOSFET de 600 V en un solo dispositivo. La inclusión del diodo de refuerzo reduce el montaje del disipador, lo que permite un diseño más sencillo y un mejor rendimiento térmico. Además, el diodo Qspeed integrado también proporciona una mayor robustez frente a las sobretensiones de la línea de CA, ya que se minimizan las inductancias parásitas de la traza, lo que a su vez reduce los picos de tensión observados por el switch de potencia durante los transitorios en hasta 50 V. El MOSFET de 600 V integrado es, por tanto, capaz de cumplir fácilmente el requisito de reducción del 80% cuando se suministra un bus de tensión constante de 385 VCC.

Los CI HiperPFS-4 alcanzan un factor de potencia superior a 0,95 con una carga superior al 20%. El diodo de refuerzo Qspeed está optimizado para el funcionamiento en modo de conducción continua PFC, con pérdidas de recuperación inversa muy bajas que se acercan al rendimiento de los dispositivos de carburo de silicio sin la penalización económica.

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